[发明专利]烧成装置无效
申请号: | 201080001914.X | 申请日: | 2010-05-25 |
公开(公告)号: | CN102066862A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 领木直矢;松田直子;中裕之;有元真司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | F27B9/04 | 分类号: | F27B9/04;F27B9/02;F27B9/28;F27B9/36;F27B9/40;F27D7/02;F27D7/06;F27D19/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫;胡烨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 烧成 装置 | ||
1.一种烧成装置,其特征在于,包括:
炉体,该炉体具有内部空间且在该内部空间中对粉体状或粒体状的被处理物进行烧成;
气体喷出部,该气体喷出部具有从在所述炉体的内部空间中进行传送的所述被处理物的上方喷出气氛气体的开口;
气体提供部,该气体提供部从所述炉体的侧壁向所述气体喷出部提供所述气氛气体;及
加热部,该加热部控制所述炉体的内部空间的温度分布。
2.如权利要求1所述的烧成装置,其特征在于,
与在所述炉体的内部空间中进行传送的粉体状或粒体状的被处理物的表层面相同高度的假想面和所述气体喷出部之间的距离为300[mm]以下。
3.如权利要求1或2所述的烧成装置,其特征在于,所述烧成装置采用下述结构:
将所述气体喷出部的面积设为S[mm2],将从所述气体喷出部喷出的所述气氛气体的流量设为Q[mm3/s],将与在所述炉体的内部空间中进行传送的粉体状或粒体状的被处理物的表层面高度相同的假想面和所述气体喷出部之间的距离设为H[mm],将所述假想面的垂线和所述气氛气体的喷出方向所成的角度设为θ[°],将所述气氛气体的喷出方向的延长线上的在所述假想面上的所述气氛气体的流速设为U[mm/s],将所述被处理物发生飞溅的临界摩擦速度设为Uc[mm/s],此时,满足以下的条件1~条件4的某一条件:
(条件1)
U=0.0315×S-0.5×Q
H/cosθ≤80
U <Uc
(条件2)
U=(1.694+0.0105×H/cosθ)×S-0.5×Q×cosθ/H
80<H/cosθ≤150
U<Uc
(条件3)
U=(5.476-0.0142×H/cosθ)×S-0.5×Q×cosθ/H
150<H/cosθ≤300
U<Uc
(条件4)
U=S-0.5×Q×cosθ/H
H/cosθ>300
U<Uc。
4.如权利要求3所述的烧成装置,其特征在于,
将与在所述炉体的内部空间中进行传送的粉体状或粒体状的被处理物在烧成前的表层面高度相同的基准假想面和所述气体喷出部之间的基准距离设为Ho[mm],将与所述被处理物在烧成中途的表层面高度相同的变动假想面和所述气体喷出部之间的变动距离设为H’[mm],将因所述被处理物在烧成中途的体积变化所引起的所述变动距离的变动幅度设为ΔH[mm],将烧成中途的所述被处理物发生飞溅的临界摩擦速度设为Uc’[mm/s],此时,在所述条件1~条件4的某一条件中,与所述被处理物的表层面高度相同的所述假想面和所述气体喷出部之间的距离H[mm]、及从所述气体喷出部喷出的所述气氛气体的喷出方向的延长线上的在所述假想面上的所述气氛气体的流速U[mm/s]满足如下关系:
H=H’=Ho+ΔH
U<Uc’。
5.如权利要求1至4的任一项所述的烧成装置,其特征在于,
在与被处理物的传送方向正交的方向上,设有多个所述气体喷出部,该气体喷出部具有喷出所述气氛气体的所述开口。
6.如权利要求5所述的烧成装置,其特征在于,
多个所述气体喷出部包含喷出所述气氛气体的所述开口的面积不同的气体喷出部。
7.如权利要求5所述的烧成装置,其特征在于,
包括气体流量调整部,该气体流量调整部对每一所述气体喷出部控制从多个所述气体喷出部喷出的所述气氛气体的流量。
8.如权利要求5所述的烧成装置,其特征在于,
包括气体组分调整部,该气体组分调整部对每一所述气体喷出部控制从多个所述气体喷出部喷出的所述气氛气体的组分混合比。
9.如权利要求1至4的任一项所述的烧成装置,其特征在于,
包括间隔壁,该间隔壁将所述炉体的内部空间沿被处理物的传送方向分割成与烧成工艺对应的多个处理空间,对应于烧成工艺,在所述多个处理空间的全部处理空间或一部分处理空间设置所述气体提供部和所述气体喷出部及所述加热部。
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