[发明专利]电子材料用Cu-Co-Si系铜合金及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201080002031.0 申请日: 2010-02-17
公开(公告)号: CN102099499A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 恩田拓磨;桑垣宽 申请(专利权)人: JX日矿日石金属株式会社
主分类号: C22C9/06 分类号: C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;H01B1/02;C22F1/00;C22F1/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢曼;李炳爱
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子 材料 cu co si 铜合金 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及沉淀硬化型铜合金,尤其是涉及适合在各种电子器械部件中使用的Cu-Co-Si系铜合金。

背景技术

对于在连接器,开关,继电器,管脚,端子,引线框等各种电子器械部件中使用的电子材料用铜合金,作为基本特性要求兼具高强度及高导电性(或导热性)。近年来,电子部件的高集成化及小型化、薄壁化快速发展,与此相对应地,对于电子器械部件中使用的铜合金的要求水平也逐渐地提高。

从高强度及高导电性的观点来看,作为电子材料用铜合金,沉淀硬化型的铜合金的使用量增加,来代替以往的以磷青铜、黄铜等为代表的固溶强化型铜合金。沉淀硬化型铜合金通过对经固溶处理的过饱和固溶体进行时效处理,使微细的析出物均匀分散,提高合金的强度,同时减少铜中的固溶元素量,提高导电性。因此,可以得到强度、弹性性能等机械性质优良,且导电性、导热性也良好的材料。

沉淀硬化型铜合金中,一般被称为科森合金(corson alloy)的Cu-Ni-Si系铜合金,是兼具较高导电性、强度及弯曲加工性的代表性铜合金,是业界中目前正如火如荼进行开发的合金之一。该铜合金通过使微细的Ni-Si系金属间化合物粒子在铜基质中析出,来实现强度与导电率的提高。

还进行了通过在科森合金中添加Co来实现特性的进一步提高的尝试。

专利文献1中,记载了Co和Ni同样会与Si形成化合物,提高机械强度,当使Cu-Co-Si系合金进行时效处理时,与Cu-Ni-Si系合金相比,机械强度、导电性均会变好,若在成本上允许的话,也可选择Cu-Co-Si系合金,添加Co时的最佳添加量为0.05~2.0wt%。

在专利文献2中,记载了钴应为0.5~2.5质量%。这是因为,若钴含量少于0.5%,则含钴的硅化物第2相的析出变得不充分,若超过2.5%,则过量的第2相粒子析出,造成加工性的降低,以及使铜合金具有不期望的强磁性特性。优选的,钴含量为约0.5%~约1.5%,在最优选的方式中,钴含量为约0.7%~约1.2%。

专利文献3中记载的铜合金,主要是以用作车载用及通信机用等的端子、连接器材料为目的而开发的,Co浓度为0.5~2.5wt%,是实现了高导电性、中强度的Cu-Co-Si系合金。根据专利文献3,将Co浓度规定在上述范围的原因是:若添加量不足0.5质量%,则无法得到所需的强度,若Co超过2.5质量%,则虽然可实现高强度化,但导电率显著下降,而且热加工性劣化,Co优选为0.5~2.0质量%。

专利文献4中记载的铜合金,是以实现高强度、高导电性及高弯曲加工性为目的而开发的,将Co浓度规定在0.1~3.0wt%。记载了将Co浓度限定在该范围的原因是:若不足该组成范围,则不具有上述效果,另外若超过该组成范围添加,则由于会在铸造时生成结晶相而成为铸造裂缝的原因,故不优选。

专利文献

专利文献1:日本特开平11-222641号公报

专利文献2:日本特表2005-532477号公报

专利文献3:日本特开2008-248333号公报

专利文献4:日本特开平9-20943号公报

发明内容

如上所述,虽然已知添加Co有助于提高铜合金的特性,但是也如上述现有技术文献中所记载的,若使Co在高浓度侧,则会对制造性、合金特性带来不良影响,而且也未充分研究在Cu-Co-Si系合金中添加高浓度Co时的特性改良。然而,我们认为Co与Ni相比可进一步提高机械强度及导电性,在Cu-Co-Si系合金中,通过进一步提高Co浓度,有可能获得特性的提高。

另一方面,若进一步提高Co浓度,则必须在更高温下来实施固溶处理,在这种情况下,再结晶粒容易粗大化。另外,在固溶处理工序的前段析出的结晶物、析出物等第二相粒子会成为障碍物而阻碍晶粒的成长。因此,合金中的再结晶粒的不均一性将会变大,从而产生合金的机械特性的偏差变大的问题。

因此,本发明的课题之一是提供兼具高导电性、高强度及高弯曲加工性,且机械特性均一的、含有高浓度Co的Cu-Co-Si系合金。另外,本发明的另一课题是提供用于制造这种Cu-Co-Si系合金的方法。

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