[发明专利]集成耦合器-环行器以及包括该集成耦合器-环行器的功率放大器

权利要求书

1.一种集成耦合器-环行器，包括：

电介质基板；

形成在所述电介质基板上的耦合器；以及

安装在所述电介质基板上的环行器。

2.根据权利要求1所述的集成耦合器-环行器，其中，所述电介质基板包括：第一接地面，形成在所述第一接地面上的第一电介质层，所述耦合器形成在所述第一电介质层上，形成在所述耦合器上的第二电介质层，以及形成在所述第二电介质层上的第二接地面。

3.根据权利要求2所述的集成耦合器-环行器，其中，所述耦合器包括第一导电层、形成在所述第一导电层上的第三电介质层、以及形成在所述第三电介质层上的第二导电层。

4.根据权利要求2所述的集成耦合器-环行器，其中，所述电介质基板包括低温共烧陶瓷(LTCC)基板和聚四氟乙烯基板中的一种。

5.根据权利要求2所述的集成耦合器-环行器，其中，所述耦合器包括3dB混合耦合器。

6.根据权利要求2所述的集成耦合器-环行器，其中，所述环行器包括表面安装器件(SMD)输入/输出(I/O)针型环行器和SMD I/O脚型环形器中的任意一种。

7.根据权利要求2所述的集成耦合器-环行器，其中，所述第一接地面和所述第二接地面中的一个包括缺陷接地结构(DGS)。

8.根据权利要求1所述的集成耦合器-环行器，进一步包括：

第一终结器，形成在所述电介质基板上或者所述电介质基板内，并且与所述耦合器相连接；以及

第二终结器，形成在所述电介质基板上或者所述电介质基板内，并且与所述环形器相连接。

9.根据权利要求8所述的集成耦合器-环行器，进一步包括形成在所述电介质基板下的散热单元，其中，所述散热单元包括散热片。

10.根据权利要求1所述的集成耦合器-环行器，进一步包括形成在所述电介质基板上或者所述电介质基板内的低通滤波器。

11.根据权利要求1所述的集成耦合器-环行器，进一步包括形成在所述电介质基板内的定向耦合器。

12.根据权利要求11所述的集成耦合器-环行器，进一步包括形成在所述电介质基板上或者所述电介质基板内的低通滤波器。

13.一种功率放大器，包括：

底板；以及

安装在所述底板上的所述权利要求1至12中任意一项所述的集成耦合器-环行器。

14.一种功率放大器，包括：

功率分配器；

放大器，接收通过所述功率分配器所分配的功率并且放大所接收到的功率；以及

权利要求1至12中的任意一项所述的集成耦合器-环行器，接收放大后的功率，合并所接收到的功率，并且将合并后的功率输出。