[发明专利]半导体发光元件基板的制造方法有效
申请号: | 201080002384.0 | 申请日: | 2010-04-27 |
公开(公告)号: | CN102439195A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 松本繁治;橘孝彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社新柯隆 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;G02B1/10;H01L33/60 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;黄纶伟 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光元件基板的制造方法,该半导体发光元件基板在一个面上依次具有电介质层和反射层,该电介质层在基板上由至少折射率不同的2层以上的层构成,其特征在于,该半导体发光元件基板的制造方法依次具有以下工序:
基板保持工序,将上述基板保持在真空室内配置的基板保持单元上;
真空排气工序,对上述真空室内进行排气;
对上述基板进行加热的基板加热工序,该基板加热工序与上述真空排气工序大致同时进行;
基板清洗工序,对上述基板照射离子来清洗上述基板;
电介质层形成工序,在上述基板上蒸镀上述电介质层;
基板加热停止工序,停止对上述基板的加热;
冷却工序,利用冷却单元吸收来自上述基板以及上述基板保持单元的辐射热,开始对上述基板和上述基板保持单元的冷却,该冷却单元配置在上述基板的附近不与上述基板接触的位置;以及
反射层形成工序,在上述电介质层上蒸镀上述反射层。
2.一种半导体发光元件基板的制造方法,该半导体发光元件基板在一个面上依次具有电介质层和反射层,该电介质层在基板上由至少折射率不同的2层以上的层构成,其特征在于,该半导体发光元件基板的制造方法依次具有以下工序:
基板保持工序,将上述基板保持在真空室内配置的基板保持单元上;
真空排气工序,对上述真空室内进行排气;
对上述基板进行加热的基板加热工序,该基板加热工序与该真空排气工序大致同时进行;
冷却工序,利用冷却单元吸收来自上述基板以及上述基板保持单元的辐射热,开始对上述基板和上述基板保持单元的冷却,该冷却单元配置在上述基板的附近不与上述基板接触的位置;
基板清洗工序,对上述基板照射离子来清洗上述基板;
电介质层形成工序,在上述基板上蒸镀上述电介质层;
基板加热停止工序,停止对上述基板的加热;以及
反射层形成工序,在上述电介质层上蒸镀上述反射层。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光元件基板的制造方法,其特征在于,
在上述基板清洗工序之前还具有第一判断工序,该第一判断工序判断上述真空室内是否是1×10-3Pa以下,
在上述真空室内是1×10-3Pa以下的情况下,进行上述基板清洗工序。
4.根据权利要求3所述的半导体发光元件基板的制造方法,其特征在于,
在上述反射层形成工序之前还具有第二判断工序,该第二判断工序判断是否上述基板的温度是50℃以下且上述真空室内是3×10-4Pa以下,
在上述基板的温度是50℃以下、并且上述真空室内是3×10-4Pa以下的情况下,进行上述反射层形成工序。
5.根据权利要求4所述的半导体发光元件基板的制造方法,其特征在于,
上述反射层是蒸镀铝而形成的。
6.根据权利要求5所述的半导体发光元件基板的制造方法,其特征在于,
上述电介质层是交替组合折射率高的层和折射率低的层而形成的。
7.根据权利要求4所述的半导体发光元件基板的制造方法,其特征在于,
利用压力控制单元和温度控制单元进行上述第二判断工序,该压力控制单元与真空泵和真空阀连接,该真空泵经由上述真空阀与上述真空室连接,该温度控制单元与设置在上述基板附近的温度计和上述冷却单元连接,
通过与上述压力控制单元和上述温度控制单元连接的挡板控制单元对配置在蒸发源上的挡板进行打开控制,来进行上述反射层形成工序。
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