[发明专利]半导体装置以及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080002455.7 申请日: 2010-01-07
公开(公告)号: CN102144292A 公开(公告)日: 2011-08-03
发明(设计)人: 内海胜喜;中野高宏;佐野光 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L23/02;H01L31/0232
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 黄剑锋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,该半导体装置具备:

半导体元件,包括将光转换为电信号的摄像区域,并具备第一主面和作为该第一主面的相反一侧的面的第二主面;

第一电极,被形成在所述第一主面上;

第二电极,被形成在所述第二主面上;

导体部,被形成在贯穿所述半导体元件的贯穿孔中,通过使所述第一电极和所述第二电极电连接,从而将来自所述摄像区域的所述电信号从所述第一电极传到所述第二电极;

光学部件,被形成在所述第一主面的上方,具备具有凸形的凸形面,并通过该凸形使光折射;以及

透光材料,被粘接到所述光学部件以覆盖所述凸形,

在所述光学部件与所述透光材料这两方之中,位于上方的上面平坦。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述凸形是向上方凸出的凸形,

所述透光材料,被形成在所述光学部件的上方,并在与所述光学部件粘接的粘接面的相反一侧具备平坦面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述凸形是向下方凸出的凸形,

所述光学部件,被形成在所述透光材料的上方,并在所述凸形面的相反一侧具备平坦面。

4.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述透光材料的折射率,大于空气的折射率且小于所述光学部件的折射率。

5.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述凸形是使所述光朝向所述摄像区域的形状,并且所述凸形被形成在使所述光朝向所述摄像区域的位置。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,

所述透光材料是丙烯类树脂,

所述光学部件是玻璃。

7.一种半导体装置,该半导体装置具备:

半导体元件,包括将光转换为电信号的摄像区域,并具备第一主面和作为该第一主面的相反一侧的面的第二主面;

第一电极,被形成在所述第一主面上;

第二电极,被形成在所述第二主面上;

导体部,被形成在贯穿所述半导体元件的贯穿孔中,通过使所述第一电极和所述第二电极电连接,从而将来自所述摄像区域的所述电信号从所述第一电极传到所述第二电极;以及

光学部件,被形成在所述第一主面的上方,并具备凸形面和平坦面,该凸形面具有向下方凸出的凸形,该平坦面在该凸形面的相反一侧。

8.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置的制造方法包括:

半导体元件形成步骤,形成半导体元件,该半导体元件包括将光转换为电信号的摄像区域,并具备第一主面和作为该第一主面的相反一侧的面的第二主面;

第一电极形成步骤,在所述第一主面上形成第一电极;

导体部形成步骤,形成贯穿所述半导体元件的贯穿孔,并在所形成的贯穿孔中形成与所述第一电极电连接的导体部;

光学部件形成步骤,在所述第一主面的上方形成光学部件,该光学部件具备具有凸形的凸形面;

透光材料形成步骤,将透光材料粘接到所述光学部件以覆盖所述凸形;以及

第二电极形成步骤,在所述第二主面上形成与所述导体部电连接的第二电极,

在所述光学部件与所述透光材料这两方之中,位于上方的上面平坦。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,

在所述光学部件形成步骤中,所述光学部件被形成为所述凸形向上方凸出,

在所述透光材料形成步骤中,粘接上面平坦的所述透光材料。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,

在所述光学部件形成步骤中,形成在所述凸形面具备平坦面的所述光学部件,并使所述凸形向下方凸出。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法,

所述半导体装置的制造方法还包括研磨步骤,在该研磨步骤中,通过研磨所述半导体元件的第一主面的相反一侧的面,从而形成所述第二主面,

在所述第二电极形成步骤中,在所述研磨步骤研磨后的第二主面上形成所述第二电极。

12.一种半导体装置的制造方法,该半导体装置的制造方法包括:

半导体元件形成步骤,形成半导体元件,该半导体元件包括将光转换为电信号的摄像区域,并具备第一主面和作为该第一主面的相反一侧的面的第二主面;

第一电极形成步骤,在所述第一主面上形成第一电极;

导体部形成步骤,形成贯穿所述半导体元件的贯穿孔,并在所形成的贯穿孔中形成与所述第一电极电连接的导体部;

光学部件形成步骤,在所述第一主面的上方形成光学部件,该光学部件具备凸形面和平坦面,该凸形面具有向下方凸出的凸形,该平坦面在该凸形面的相反一侧;以及

第二电极形成步骤,在所述第二主面上形成与所述导体部电连接的第二电极。

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