[发明专利]多绕组磁结构

权利要求书

1.一种多绕组磁结构，包括：

磁芯，包含

第一柱、第二柱和第三柱，所述第一柱和所述第二柱彼此间隔开以定义所述第一柱和所述第二柱之间的绕组窗口，

芯顶，其覆盖所述第一、第二和第三柱，并且定义所述绕组窗口的顶部，和

芯底，其在所述第一、第二和第三柱下面，并且定义所述绕组窗口的底部；

第一绕组，其围绕所述第一柱定位，所述第一绕组包含多匝绕组材料，所述第一绕组的所述多匝穿过所述绕组窗口；和

第二绕组，其围绕所述第二柱定位，所述第二绕组包含多匝绕组材料，所述第二绕组的所述多匝穿过所述绕组窗口；

第三绕组，其围绕所述第三柱定位；

所述第一绕组和第二绕组围绕所述第一和第二柱沿相同方向延伸，所述第一绕组的所述多匝在所述绕组窗口中沿从所述芯顶到所述芯底的方向与所述第二绕组的所述多匝交替。

2.如权利要求1所述的多绕组磁结构，其中所述第一绕组的所述多匝被分组成多个组，所述第二绕组的所述多匝被分组成多个组，所述第一绕组的所述多匝按组与所述第二绕组的所述多匝交替。

3.如权利要求2所述的多绕组磁结构，其中每个组包括不止一匝。

4.如权利要求1所述的多绕组磁结构，其中所述绕组窗口包含第一侧和第二侧，并且所述第一绕组的所述多匝与所述第二绕组的所述多匝沿从所述绕组窗口的第一侧到所述绕组窗口的第二侧的方向交替。

5.如权利要求1所述的多绕组磁结构，其中所述芯顶、所述芯底、所述第一柱和所述第二柱全部由同种磁材料形成。

6.如权利要求5所述的多绕组磁结构，其中所述芯顶、所述芯底、所述第一柱和所述第二柱单片地形成。

7.如权利要求1所述的多绕组磁结构，其中所述第一和第二绕组是印制电路板上的迹线。

8.一种功率变换器，包含如权利要求1所述的多绕组磁结构。

9.如权利要求1所述的多绕组磁结构，其中所述第二柱和所述第三柱彼此间隔开，以定义所述第二柱和所述第三柱之间的第二绕组窗口，所述第二绕组的所述多匝穿过所述第二绕组窗口，所述第三绕组包含多匝绕组材料，所述第三绕组的所述多匝穿过所述绕组窗口，所述第二绕组和所述第三绕组围绕所述第二和第三柱沿相同方向延伸，所述第二绕组的所述多匝与所述第三绕组的所述多匝在所述第二绕组窗口中沿从所述芯顶到所述芯底的方向交替。

10.一种多绕组磁结构，包括：

磁芯，包含

第一柱、第二柱和第三柱，每一个所述第一、第二和第三柱具有中心，所述第一和第二柱彼此间隔开以定义所述第一和第二柱之间的第一绕组窗口，所述第三柱与所述第一和第二柱之一间隔开，以定义所述第三柱和所述第一和第二柱的所述之一之间的第二绕组窗口，所述第一、第二和第三柱被相对彼此定位，使得单一直线不会穿过所有三个柱的中心；

芯顶，其覆盖所述第一、第二和第三柱，并且定义所述第一和第二绕组窗口的顶部；和

芯底，其在所述第一、第二和第三柱下面，并且定义所述第一和第二绕组窗口的底部；

第一绕组，其围绕所述第一柱定位；

第二绕组，其围绕所述第二柱定位；和

第三绕组，其围绕所述第三柱定位。

11.如权利要求10所述的多绕组磁结构，其中所述第一、第二和第三绕组均包含多匝绕组材料。

12.如权利要求11所述的多绕组磁结构，其中所述第一和第二绕组的所述多匝穿过所述第一绕组窗口。

13.如权利要求12所述的多绕组磁结构，其中所述第三绕组的所述多匝穿过所述第二绕组窗口。

14.如权利要求13所述的多绕组磁结构，其中所述第一和第二绕组之一的所述多匝还穿过所述第二绕组窗口。

15.如权利要求10所述的多绕组磁结构，其中所述第一、第二和第三绕组围绕所述第一、第二和第三柱沿相同方向延伸。

16.如权利要求9所述的多绕组磁结构，其中所述芯顶、所述芯底、所述第一柱、所述第二柱和第三柱全部由同种磁材料构造。

17.如权利要求16所述的多绕组磁结构，其中所述芯顶、所述芯底、所述第一柱、所述第二柱和所述第三柱被单片地形成。