[发明专利]薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列装置，隔着层间绝缘膜与包含EL发光元件的EL层层叠，所述EL发光元件包括下部电极；

所述薄膜晶体管阵列装置包括：

基板；

栅极配线，其配置于所述基板的上方；

源极配线，其与所述栅极配线交叉；

第1晶体管，其包括在所述基板上形成的第1源极电极；

第2晶体管，其包括与所述下部电极电连接的电流供给用的电极；

钝化膜，其介于所述层间绝缘膜与所述第1晶体管以及所述第2晶体管之间；和

导电氧化物膜，其层叠在所述钝化膜上；

所述电流供给用的电极，经由设置在所述钝化膜的第1孔部与所述下部电极电连接；

所述薄膜晶体管阵列装置还包括中继电极，所述中继电极形成在所述钝化膜上的与所述第2晶体管所包含的电流供给用的电极重叠的区域，对所述电流供给用的电极与所述下部电极进行中继；

所述第1晶体管以及所述第2晶体管为底栅型的晶体管；

所述栅极配线，与所述第1晶体管的栅极电极电连接，配置于比所述钝化膜更下层；

所述源极配线，配置在与所述第1晶体管所包含的第1源极电极不同层的所述钝化膜上，经由设置在所述钝化膜的第2孔部与所述第1源极电极电连接；

所述栅极配线的端部，从设置在所述钝化膜的开口部露出，所述栅极配线的端部的露出区域成为作为与装置外部的栅极驱动电路连接的连接部的端子；

层叠在所述钝化膜上的所述导电氧化物膜覆盖从所述开口部露出的所述栅极配线的端部；

所述导电氧化物膜，介于所述钝化膜与所述源极配线以及所述中继电极之间，在所述源极配线与所述中继电极之间为非电连接；

所述导电氧化物膜，介于所述中继电极与所述电流供给用的电极之间，使所述中继电极与所述电流供给用的电极电连接；

所述中继电极，与所述钝化膜上的所述源极配线形成在同一层，由与所述源极配线相同的材料构成。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列装置，所述下部电极为以铝为主成分的金属。

3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管阵列装置，所述源极配线以及所述中继电极的与所述导电氧化物膜相接的面由包括铜、钼、钛和钨中的至少一种的金属形成。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，所述源极配线以及所述中继电极为层叠构造。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，

所述层间绝缘膜由有机膜和无机膜这两层构成；

所述无机膜覆盖所述源极配线以及所述中继电极。

6.如权利要求1至5中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，

所述第1晶体管以及所述第2晶体管各自所包含的半导体层为结晶性半导体层；

所述第1晶体管所包含的第1栅极电极以及所述第2晶体管所包含的第2栅极电极，由耐热性比所述栅极配线中所使用的金属高的金属形成。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列装置，所述耐热性比所述栅极配线中所使用的金属高的金属为包括钼、钨、钛、钽、镍中的任意一种的金属。

8.如权利要求1至7中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，所述导电氧化物膜为包括铟以及锡的氧化物膜、或者包括铟以及锌的氧化物膜。

9.如权利要求1至8中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，

所述源极配线的端部经由所述导电氧化物膜与在所述栅极绝缘膜上形成的中继配线的一方的端部连接；

所述中继配线的另一方的端部从设置在所述钝化膜的开口部露出，所述中继配线的端部的露出区域成为作为与装置外部的源极驱动电路连接的连接部的端子；

层叠在所述钝化膜上的所述导电氧化物膜覆盖从所述开口部露出的所述中继配线的另一方的端部。

10.如权利要求9所述的薄膜晶体管阵列装置，所述中继配线与所述栅极配线在同一层，并且由相同材料构成。

11.如权利要求1至8中的任意一项所述的薄膜晶体管阵列装置，

在所述源极配线的端部，形成在所述源极配线之下的所述导电氧化物膜露出、延伸；

所述导电氧化物膜露出的区域成为作为与装置外部的源极驱动电路连接的连接部的端子。