[发明专利]半导体装置的冷却结构及具备该冷却结构的电力变换装置

权利要求书

1.一种半导体装置的冷却结构，其特征在于，具备：

产生热量的半导体装置；及冷却单元，由具有第1热容量并通过接合材料直接搭载所述半导体装置的第1冷却体和具有比所述第1热容量大的第2热容量的第2冷却体构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，与形成在所述半导体装置内部的内部电路电连接的电极露出在该半导体装置的主面上，所述电极通过所述接合材料与所述第1冷却体直接接合。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，所述接合材料不包含绝缘材料。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，所述第1冷却体和所述第2冷却体通过形成在所述第1冷却体上的第1嵌合部和形成在所述第2冷却体上的第2嵌合部而组合成一体。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，所述第2嵌合部是比周围突出的突出部，所述第1嵌合部是收容所述突出部的凹部。

6.根据权利要求4所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，在所述第1冷却体和所述第2冷却体之间配置有导热材料。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置的冷却结构，其特征在于，在组合成一体的所述第1冷却体和所述第2冷却体的外表面上设有电绝缘膜。

8.一种电力变换装置，其特征在于，

具有多个半导体装置，其具备：产生热量的半导体装置；及冷却单元，由通过接合材料直接搭载所述半导体装置的第1冷却体和具有比所述第1冷却体大的热容量的第2冷却体构成，通过将所述多个半导体装置容纳在绝缘性壳体中，使各半导体装置间电绝缘。

9.根据权利要求8所述的电力变换装置，其特征在于，具备收容所述绝缘性壳体的框体。

10.一种电力变换装置，是具备通过接合材料分别搭载在多个冷却体上的多个半导体装置的电力变换装置，其特征在于，在所述多个冷却体之间分别形成有绝缘层。

11.根据权利要求10所述的电力变换装置，其特征在于，所述冷却体上设有供给制冷剂的液冷孔。

12.根据权利要求10或11所述的电力变换装置，其特征在于，具备多个金属层，分别配置在所述多个冷却体和所述多个半导体装置之间。