[发明专利]EL显示面板、EL显示装置以及EL显示面板的制造方法有效
申请号: | 201080003406.5 | 申请日: | 2010-09-29 |
公开(公告)号: | CN102576722A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 钟之江有宣 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | el 显示 面板 显示装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种EL显示面板,具有EL部和控制所述EL部的发光的薄膜半导体部,
所述EL部包括阳极电极、阴极电极、以及介于所述阳极电极和所述阴极电极之间的发光层,
所述薄膜半导体部具备:
基板;
栅电极,其形成在基板上;
栅极绝缘膜,其以覆盖所述栅电极的方式形成在所述基板上;
半导体层,其形成在所述栅极绝缘膜上并在所述栅电极的上方;
第1电极,其形成在所述半导体层的上方;
第2电极,其与所述第1电极形成在同一层;
层间绝缘膜,其覆盖所述第1电极和所述第2电极并形成在所述栅极绝缘膜的上方、是与形成有所述栅电极的层不同的层;
栅极布线,其配置在所述层间绝缘膜上;
电源布线,其在形成有所述栅极布线的所述层间绝缘膜上、与所述栅极布线同层、并且与所述栅极布线并行地配置;以及
辅助布线,其在所述层间绝缘膜上与所述栅极布线和所述电源布线同层、并且与所述栅极布线和所述电源布线并行地配置,
所述栅电极和所述栅极布线介由设置成贯穿所述栅极绝缘膜和所述层间绝缘膜的第1导电部电连接,
所述第1电极和所述第2电极中的任一方与所述电源布线介由设置成贯穿所述层间绝缘膜的第2导电部电连接,
所述辅助布线与所述阴极电极电连接。
2.根据权利要求1所述的EL显示面板,
所述电源布线和所述辅助布线形成在与所述栅极布线相同或预定的近似值的高度。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的EL显示面板,
所述电源布线和所述辅助布线配置在所述栅极布线和与所述栅极布线并行、与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间,
组合了所述电源布线和所述辅助布线双方的宽度对应于所述栅极布线和与所述栅极布线并行配置的与所述栅极布线相邻的其他栅极布线之间的宽度,所述电源布线和所述辅助布线与相邻的2个所述栅极布线接近地配置以使得填埋相邻的2个所述栅极布线之间。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的EL显示面板,
所述栅极布线和所述电源布线的距离、所述电源布线和所述辅助布线的距离、所述辅助布线和所述栅极布线的距离分别为4μm以上。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的EL显示面板,
所述电源布线和所述辅助布线中的至少任一方具有比所述栅极布线的宽度宽的宽度。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的EL显示面板,
所述半导体层为p沟道型,
所述电源布线形成为与所述半导体层重叠。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的EL显示面板,
所述半导体层为n沟道型,
所述电源布线和所述辅助布线形成为与所述半导体层不重叠。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的EL显示面板,
所述第1电极为源电极,所述第2电极为漏电极。
9.根据权利要求1~7中任一项所述的EL显示面板,
所述第1电极为漏电极,所述第2电极为源电极。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的EL显示面板,
所述半导体层包括多晶性半导体层。
11.根据权利要求1~10中任一项所述的EL显示面板,
构成所述电源布线和所述辅助布线的材料包括Al、Cu、Ag中的任一种。
12.根据权利要求1~11中任一项所述的EL显示面板,
所述EL部为具有有机发光层作为所述发光层的有机EL部。
13.一种EL显示装置,具有权利要求1~12中任一项所述的EL显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的