[发明专利]驻极体材料和静电型声音变换器无效
申请号: | 201080003426.2 | 申请日: | 2010-04-26 |
公开(公告)号: | CN102227789A | 公开(公告)日: | 2011-10-26 |
发明(设计)人: | 高冈诚一 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01G7/02 | 分类号: | H01G7/02;H04R19/01;H04R19/02;H04R19/04 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 驻极体 材料 静电 声音 变换器 | ||
技术领域
本发明涉及一种驻极体材料和包括该驻极体材料的静电型声音变换器。
背景技术
传统地,在诸如普通耳机、头戴式耳机和麦克风这样的静电型声音变换器中,使用包括电极板和形成在其上的驻极体层的驻极体材料。例如,在具有内置的IC(集成电路)元件的驻极体电容器麦克风(ECM)中,驻极体材料被设置成面向振动板的前侧或后侧表面。
已提出用于制作这样的驻极体材料的各种工艺。例如,专利文献1描述了这样一种工艺,其中,将能够构成驻极体层的热塑性树脂膜层叠到金属片上并将该膜转换成驻极体。专利文献2和专利文献3描述了这样一种工艺,其中,将包含分散液介质和分散在其中的FEP微粒(具体而言,四氟乙烯/六氟丙烯共聚物)的分散液涂敷到背电极板上并加热,从而形成薄膜,并且将此薄膜转换成驻极体。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:JP-A-64-44010
专利文献2:JP-A-11-150795
专利文献3:JP-A-2000-115895
发明内容
本发明要解决的问题
顺便提及,存在其中静电型声音变换器通过使用流装置(flow device)和回流装置焊接而被安装在例如控制板等上的情况。然而,在使用传统的驻极体材料的情况下,存在一个问题,即,静电型声音变换器的安装会导致驻极体材料所拥有的电荷量减少。这被认为是归因于驻极体层的表面电位由于驻极体层在焊接过程中被加热到高温而引起的下降。由于多使用无铅焊料,尤其是最近,所以逐渐使用较高温度来焊接,因此,存在驻极体材料所拥有的电荷量会极大地减少的可能性。
本发明的目的是鉴于这些情形而提供一种对热具有极佳的电荷保持性的驻极体材料以及包括该驻极体材料的静电型声音变换器。
用于解决问题的手段
本发明人勤勉研究,以便克服上述问题。结果,发现通过在电极板和驻极体材料之间由含碳的氟树脂形成半导电层,可以抑制驻极体层在高温下加热时表面电位的下降,虽然其原因不清楚。由此观点而完成了本发明。
就是说,本发明提供一种驻极体材料,其包括:电极板;半导电层,形成在电极板上并且包含碳和氟树脂;和驻极体层,形成在半导电层上。
本发明进一步提供一种静电型声音变换器,其包括驻极体材料和面向驻极体材料的振动板。
本发明的优点
根据本发明,可以得到一种对热具有极佳的电荷保持性的驻极体材料。
附图说明
图1是根据本发明的一个实施例的驻极体材料的截面图。
图2是采用图1所示的驻极体材料的静电型声音变换器的截面图。
具体实施方式
以下,将参照附图来说明本发明的实施例。
图1中示出根据本发明的一个实施例的驻极体材料10。此驻极体材料10包括电极板1、形成在电极板1上的半导电层2以及形成在半导电层2上的驻极体层3。
可以使用由不锈钢、铝、钢、铜、钛及其合金制成的金属板作为电极板1。替代地,电极板1可以是支承在例如基板上的金属箔。就是说,本发明中的电极板可以是任何薄金属板,并且其厚度不受特别限制。然而,从减小驻极体材料10的尺寸的要求的观点看,优选的是,电极板的厚度为100到300μm。
优选的是,电极板1没有粘附的油脂等。优选的是,对电极板1进行表面制备,以便改善对半导电层2的粘附性。虽然表面制备不受特别限制,但从获得半导电层2的厚度均一性以及表面平滑性的观点看,优选进行不会增大电极板的表面粗糙度的处理,诸如,例如通过阳极处理或化学处理而形成涂层膜。
半导电层2包括含碳的氟树脂。优选的是,半导电层2具有在1.0×108到1.0×1015Ω/□的范围内的表面电阻。这是因为在半导电层2的表面电阻小于1.0×108Ω/□或超过1.0×1015Ω/□的情况下,驻极体层3在其被加热到高温时表面电位会极大地减小。半导电层2的表面电阻更优选在1.0×108到1.0×1012Ω/□的范围内。
半导电层2的厚度不受特别限制。然而,从近来对静电型声音变换器(例如,麦克风)的小型化的需求的观点来看,半导电层2的厚度优选为1到25μm,更优选为5到15μm。
可以使用选自由四氟乙烯/六氟丙烯共聚物(FEP)、四氟乙烯/全氟烷氧基乙烯共聚物(PFA)、乙烯/四氟乙烯共聚物(ETFE)和聚四氟乙烯(PTFE)组成的组中的至少一种来作为半导电层2中所含有的氟树脂。
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