[发明专利]CVD装置

权利要求书

1.一种CVD装置，在通过支承部件支承碳质基材的状态下向内部导入气体，由此在碳质基材的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，

所述支承部件具备载置所述碳质基材并支承碳质基材下部的下部支承部件和支承所述碳质基材上部的上部支承部件，

该上部支承部件设置在所述碳质基材的外周缘，并且具备两张支承板，

在所述支承板之间形成的碳质基材配置空间内，以具有充分的游隙的状态配置所述碳质基材。

2.根据权利要求1所述的CVD装置，其中，

所述上部支承部件配置在所述碳质基材的上端位置。

3.根据权利要求1或2所述的CVD装置，其中，

所述游隙为1mm以上2mm以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的CVD装置，其中，

在上部支承部件中，由一体的所述两张支承板形成的碳质基材配置空间为大致V字状。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的CVD装置，其中，

在所述下部支承部件的表面存在热分解碳质层。

6.根据权利要求5所述的CVD装置，其中，

在所述下部支承部件与所述热分解碳质层之间存在热膨胀片。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的CVD装置，其中，

当在多个所述碳质基材的表面形成SiC覆膜时，各碳质基材配置成距装置的中心为等距离。