[发明专利]酞菁纳米线、含有它的油墨组合物及电子元件、以及酞菁纳米线的制造方法

权利要求书

1.一种酞菁纳米线，其特征在于，其为含有酞菁及酞菁衍生物的酞菁纳米线，其短径为100nm以下，长度相对于该短径的比率(长度/短径)为10以上。

2.权利要求1中所述的酞菁纳米线，其中，所述酞菁为铜酞菁、锌酞菁或铁酞菁。

3.权利要求1或2中所述的酞菁纳米线，其中，所述酞菁衍生物为通式(1)或(2)表示的物质，

式中，X选自铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子中的任一种，Y₁至Y₄表示使酞菁骨架和R₁～R₄结合的结合基团，Y₁至Y₄作为结合基团不存在时，R₁～R₄为SO₃H、CO₂H、可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的(寡)芳基、可以具有取代基的(寡)杂芳基、可以具有取代基的邻苯二甲酰亚胺基或可以具有取代基的富勒烯类，Y₁至Y₄为-(CH₂)_n-(n表示1～10的整数)、-CH＝CH-、-C≡C-、-O-、-NH-、-S-、-S(O)-、或-S(O)₂-表示的结合基团时，R₁～R₄为可以具有取代基的烷基、可以具有取代基的(寡)芳基、可以具有取代基的(寡)杂芳基、可以具有取代基的邻苯二甲酰亚胺基或可以具有取代基的富勒烯类，a、b、c及d各自独立地表示0～2的整数，其中至少一个为1。

4.权利要求3中所述的酞菁纳米线，其中，所述可以具有取代基的烷基为甲基、乙基或丙基，可以具有取代基的(寡)芳基为可以具有取代基的(寡)亚苯基或可以具有取代基的(寡)亚萘基，可以具有取代基的(寡)杂芳基为可以具有取代基的(寡)吡咯基、可以具有取代基的(寡)噻吩基、可以具有取代基的(寡)苯并吡咯基、可以具有取代基的(寡)苯并噻吩基。

5.权利要求1或2中所述的酞菁纳米线，其中，所述酞菁衍生物为通式(3)表示的物质，

式中，X选自铜原子、锌原子、钴原子、镍原子、锡原子、铅原子、镁原子、硅原子、铁原子中的任意一种，Z为下述式(a)或(b)表示的基团，a、b、c及d各自独立地表示0～2的整数，其中至少一个为1；

其中，n为4～100的整数，Q各自独立地为氢原子或甲基，Q’为碳数1～30的非环状烃基；

其中，m为1～20的整数，R及R’各自独立地为碳数1～20的烷基。

6.一种油墨组合物，其以权利要求1中所述的酞菁纳米线和有机溶剂作为必须成分。

7.权利要求6中所述的油墨组合物，其中，酞菁纳米线的含有率在0.05～20质量％的范围内。

8.权利要求6中所述的油墨组合物，其中，所述有机溶剂为酰胺系有机溶剂、芳香族系有机溶剂或卤素系有机溶剂。

9.权利要求8中所述的油墨组合物，其中，所述酰胺系有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二乙基甲酰胺或N，N-二甲基乙酰胺。

10.权利要求8中所述的油墨组合物，其中，所述芳香族系有机溶剂为甲苯、二甲苯、乙苯、氯苯或二氯苯。

11.权利要求8中所述的油墨组合物，其中，所述卤素系有机溶剂为氯仿、二氯甲烷或二氯乙烷。

12.权利要求6中所述的油墨组合物，其中还含有造膜性材料。

13.权利要求12中所述的油墨组合物，其中，该造膜性材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚噻吩、聚苯乙炔、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚乙烯基咔唑。

14.一种膜，其特征在于含有权利要求1中所述的酞菁纳米线。

15.权利要求14中所述的膜，其中还含有造膜性材料。

16.权利要求15中所述的膜，其中，该造膜性材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚噻吩、聚苯乙炔、聚苯乙烯、聚碳酸酯或聚乙烯基咔唑。