[发明专利]半导体集成电路

权利要求书

1.一种半导体集成电路，其特征在于，具有第一IO单元区域和第二IO单元区域，在各IO单元区域中形成了一个以上的执行具有第一电压的振幅的信号的输入输出的IO单元，所述半导体集成电路具备：

电平移动电路，按照与所述第一IO单元区域一起夹着所述第二IO单元区域的方式配置，将由所述第一IO单元区域的IO单元输出的信号变换为具有第二电压的振幅的信号之后输出；以及

内部电路，使用由所述电平移动电路输出的具有第二电压的振幅的信号来进行动作，

其中，在所述第一IO单元区域的IO单元与电平移动电路之间，按照通过所述第二IO单元区域的IO单元上方或者IO单元内部的方式，配置将由所述第一IO单元区域的IO单元输出的信号输入到所述电平移动电路的信号配线。

2.一种半导体集成电路，其特征在于，具有第一IO单元区域和第二IO单元区域，在各IO单元区域中形成了一个以上的执行具有第一电压的振幅的信号的输入输出的IO单元，所述半导体集成电路具备：

内部电路，使用具有所述第二电压的振幅的信号进行动作；以及

电平移动电路，按照与所述第一IO单元区域一起夹着所述第二IO单元区域的方式配置，将由所述内部电路输出的具有所述第二电压的振幅的信号变换为具有第一电压的振幅的信号之后输出，

其中，在所述第一IO单元区域的IO单元与电平移动电路之间，按照通过所述第二IO单元区域的IO单元上方或者IO单元内部的方式，配置将由所述电平移动电路输出的信号输入到所述第一IO单元区域的IO单元的信号配线。

3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路，其特征在于，

在所述第一IO单元区域与所述电平移动电路之间，配置有形成了一个以上的执行具有所述第一电压的振幅的信号的输入输出的IO单元的第三IO单元区域。

4.根据权利要求1到3任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，

将所述半导体集成电路形成为方形，

将所述第一IO单元区域沿着所述半导体集成电路的至少一边配置在所述半导体集成电路的周边部。

5.根据权利要求4所述的半导体集成电路，其特征在于，

在所述半导体集成电路的周边部跨整个周边配置所述第一IO单元区域。

6.根据权利要求1到3任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，

双重以上重叠地配置所述电平移动电路。

7.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路，其特征在于，还具备：

按照与所述第一IO单元区域一起夹着所述第二IO单元区域的方式配置，并且具有将由所述第二IO单元区域的IO单元输出的信号变换为具有第二电压的振幅的信号之后输出的功能、以及将由所述内部电路输出的具有所述第二电压的振幅的信号变换为具有第一电压的振幅的信号之后输出的功能中的至少一个的电平移动电路。

8.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，还具备：

按照与所述第一IO单元区域一起夹着所述第三IO单元区域的方式配置，并且具有将由所述第三IO单元区域的IO单元输出的信号变换为具有第二电压的振幅的信号之后输出的功能、以及将由所述内部电路输出的具有所述第二电压的振幅的信号变换为具有第一电压的振幅的信号之后输出的功能中的至少一个的电平移动电路。

9.根据权利要求1到3任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第二IO单元区域中所形成的IO单元位于所述第一IO单元区域中所形成的IO单元与所述电平移动电路之间。

10.根据权利要求1到9任一项所述的半导体集成电路，其特征在于，

所述第一电压比所述第二电压高。

11.根据权利要求1或10所述的半导体集成电路，其特征在于，还具备：

向所述电平移动电路提供所述第二电压的电源配线。

12.根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，

将所述电源配线形成为格子状。

13.根据权利要求11或12所述的半导体集成电路，其特征在于，

在所述内部电路中安装有向所述电源配线提供所述第二电压的焊盘。