[发明专利]发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法有效
申请号: | 201080004030.X | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN102272970A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 西山诚司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/22 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 段承恩;杨光军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 具备 装置 以及 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。
背景技术
近年来,研究、开发不断进展的有机电致发光元件(下面,记载为“有机EL元件”。)是利用了有机材料的场致发光现象的发光元件。有机EL元件具有在第1电极(阳极)与第2电极(阴极)之间夹插有发光层的结构。在发光层的侧方形成有由绝缘材料构成的堤,通过该堤规定发光层的形状。在第1电极与发光层之间,例如根据需要夹插有空穴注入层、空穴输送层或者空穴注入兼输送层,在第2电极与发光层之间,例如根据需要夹插有电子注入层、电子输送层或者电子注入兼输送层(下面,将空穴注入层、空穴输送层、空穴注入兼输送层、电子注入层、电子输送层以及电子注入兼输送层总称并记载为“电荷注入输送层”)。
在以往的有机EL元件中,使用PEDOT(聚噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物)等的导电性高分子材料形成电荷注入输送层,但提出了使用过渡金属氧化物等的金属化合物形成电荷注入输送层的方案(例如参照专利文献1等)。金属化合物与PEDOT相比,其电压-电流密度特性优异,另外,认为即使在使大电流流动而提高发光强度的情况下也不容易劣化。因此,金属化合物在电荷注入输送层的利用备受期待。
专利文献1:日本特开2005-203339号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在如上所述作为电荷注入输送层应用了金属化合物的构成中,也具有对发光特性谋求进一步的改善的必要。
因此,本发明的目的在于提供一种具有良好的发光特性的发光元件、具备发光元件的发光装置以及发光元件的制造方法。
用于解决课题的手段
本发明的一种方式的发光元件,在第1电极与第2电极之间,至少夹插有电荷注入输送层与发光层的层叠体,并且在由堤规定的区域存在所述发光层,所述电荷注入输送层在由所述堤规定的区域形成为上面下沉的凹入结构,所述电荷注入输送层的凹入结构的凹部的边缘由所述堤的一部分覆盖。
发明的效果
根据上述构成,因为形成于电荷注入输送层的凹部的边缘由堤的一部分覆盖,所以能够抑制发光时电场集中于凹部的边缘,其结果,能够抑制电流在发光层局部流动。因此,能够抑制发光面内的辉度不均,能够进一步改善发光特性。
附图说明
图1是用于说明得到本发明的一种方式的经过的端面图。
图2是表示本发明的实施方式的有机EL显示器的一部分的俯视图。
图3是示意性地表示本发明的实施方式的有机EL显示器的一部分剖面的端面图。
图4是图3中的由一点划线包围的B部的放大端面图。
图5是说明本发明的实施方式的有机EL显示器的制造方法的工序图。
图6是说明本发明的实施方式的有机EL显示器的制造方法的工序图。
图7是说明本发明的实施方式的有机EL显示器的制造方法的工序图。
图8是示意性地表示本发明的变形例的有机EL显示器的一部分剖面的端面图。
图9是说明本发明的变形例的有机EL显示器的制造方法的工序图。
图10是示意性地表示本发明的变形例的有机EL显示器的一部分剖面的端面图。
图11是表示本发明的变形例的有机EL显示器的一部分的俯视图。
附图标记说明
1:TFT基板
2:第1电极
3:ITO层
4:空穴注入层
4a:凹部
4b:凹部的底面
4c:凹部的边缘
4d:凹部的侧面
4e:在空穴注入层的上面没有凹入的区域
5:堤
5a、5b:堤的底面
5c:堤的底面的水平面
5d:覆盖层
6:发光层
7:电子注入层
8:第2电极
9:封止层
10a、10b、10c:有机EL元件
11:薄膜
12:堤材料层
13:空穴输送层
55:像素堤
55a:堤要素
55b:堤要素
56a1、56a2、56b1、56b2、56c1、56c2:发光层
65:线堤
66a、66b、66c:发光层
100:有机EL显示器
具体实施方式
(得到本发明的一个方式的经过)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择