[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，包括：

处理室，由腔室、具有多个气体导入口的电极法兰、和由所述腔室与所述电极法兰夹着的绝缘法兰形成，并具有反应室；

支撑部，收容在所述反应室内，载置有基板，并控制所述基板的温度；

簇射极板，收容在所述反应室内，以与所述基板对置的方式配置，并向所述基板提供工艺气体；

多个气体提供部，被设置在所述电极法兰与所述簇射极板之间的空间内，与多个所述气体导入口分别连通，并被配置为同心状且环状，且向所述簇射极板独立提供不同组成的所述工艺气体；以及

电压施加部，在所述簇射极板与所述支撑部之间施加电压。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体处理装置为成膜装置。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述等离子体处理装置为蚀刻装置。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，

所述气体提供部以使提供给所述基板的周缘部的氢的浓度相比于提供给所述基板的中央部的氢的浓度更低的方式，将所述工艺气体提供到所述基板上。