[发明专利]狭缝式超音速喷嘴及具备该喷嘴的表面处理装置无效
申请号: | 201080004277.1 | 申请日: | 2010-03-18 |
公开(公告)号: | CN102272900A | 公开(公告)日: | 2011-12-07 |
发明(设计)人: | 金相贤 | 申请(专利权)人: | 技得源有限公司 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/304 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 崔征 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 狭缝 超音速 喷嘴 具备 表面 处理 装置 | ||
1.一种狭缝式超音速喷嘴(110),是喷射能够从处理对象物(10)的表面脱离异物的高速气体的喷嘴,其特征在于,包括:
喷嘴本体(111),其沿着上述处理对象物(10)的宽度方向延伸形成;
压力均匀分配路(112),其具备沿着上述处理对象物(10)的宽度方向延续的流路并形成在上述喷嘴本体(111)内部,以便使向上述喷嘴本体(111)供给的高压气体能够沿着上述喷嘴本体(111)的长度方向均匀地分布;以及
狭缝(113),其在上述喷嘴本体(111)和压力均匀分配路(112)的一端部上沿着上述处理对象物(10)的宽度方向延续地开放形成,并通过上述压力均匀分配路(112)得到高压气体的供给,从而生成能够产生冲击波的超音速气体射流并向上述处理对象物(10)侧进行喷射。
2.根据权利要求1所述的狭缝式超音速喷嘴(110),其特征在于,上述喷嘴本体(111)包括:
沿着上述喷嘴本体(111)的长度方向分隔设置多个的气体进入口(111a),该气体进入口(111a)能够沿着与从上述压力均匀分配路(112)向上述狭缝(113)供给气体的方向不同方向提供高压气体使其进入到上述喷嘴本体(111)内部的路径。
3.根据权利要求1所述的狭缝式超音速喷嘴(110),其特征在于,上述压力均匀分配路(112)包括:
气体进入均匀分配部(112a)和气体传递均匀分配部(112b),
该气体进入均匀分配部(112a)具备第一侧壁(112a-1)和第二侧壁(112a-2),该第一侧壁(112a-1)提供得到高压气体的供给后能够向上述狭缝(113)侧改变流动方向的对置面,该第二侧壁(112a-2)与上述第一侧壁(112a-1)隔开规定的分隔距离来形成,以便沿着上述喷嘴本体(111)的长度方向均匀地分配压力并向上述狭缝(113)侧传递高压气体;
该气体传递均匀分配部(112b)与上述气体进入均匀分配部(112a)和狭缝(113)连通形成,以便对在上述气体进入均匀分配部(112a)中第一次分配的气体进行第二次分配并能够向上述狭缝(113)侧传递,并且从与上述气体进入均匀分配部(112a)的连接部越朝向与上述狭缝(113)的连接部侧其截面连续地缩小形成,以便能够实现气体的压力强化和顺畅的流动。
4.根据权利要求1所述的狭缝式超音速喷嘴(110),其特征在于,上述狭缝(113)包括:
倾斜缩小部(113a)、曲面连接部(113b)以及倾斜扩大部(113c),
该倾斜缩小部(113a)形成为随着靠近上述狭缝(113)的喷射端部侧,狭缝的宽度以15~52°的倾斜度缩小,
该曲面连接部(113b)与上述倾斜缩小部(113a)的端部连接形成,并且沿着上述狭缝(113)的喷射方向连续形成0.02~5.00mm的长度,形成相当于0.01~1.25mm的狭缝宽度,
该倾斜扩大部(113c)与上述曲面连接部(113b)的端部连接形成,并且随着靠近上述狭缝(113)的喷射端部侧,其截面以0.1~48°的倾斜度扩大,并且沿着上述狭缝(113)的喷射方向连续形成0.02~6.25mm的长度。
5.根据权利要求1所述的狭缝式超音速喷嘴(110),其特征在于,上述狭缝(113)的喷射端部被设置成:
从上述处理对象物(10)的表面起具有与上述狭缝(113)的喷射端部上生成的冲击波的5个波长到达的距离以内相当的分隔距离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造