[发明专利]晶片分离装置、晶片分离输送装置、晶片分离方法、晶片分离输送方法以及用于太阳能电池的晶片分离输送方法无效

专利信息
申请号: 201080004280.3 申请日: 2010-01-12
公开(公告)号: CN102272913A 公开(公告)日: 2011-12-07
发明(设计)人: 楠原一树;纲岛共平 申请(专利权)人: 株式会社艾克萨;株式会社渡边商行
主分类号: H01L21/677 分类号: H01L21/677;H01L21/304
代理公司: 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 代理人: 吴小灿
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 分离 装置 输送 方法 以及 用于 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一种晶片分离装置,其特征如下,具有:卡带,其将被成片化的多片晶片按紧贴状态的纵向放置的方式装入,并且至少上下地开放;和卡带支撑体,其以可安装拆卸的方式支撑该卡带,并且至少上下地开放;和升降装置,其使该卡带支撑体与上述卡带一体升降;液槽,其装有在该升降装置下降时将上述卡带支撑体与上述卡带一体浸渍的液体;和喷嘴,其设置在该液槽内,从上述卡带支撑体的下方向多片晶片喷出细微气泡;和细微气泡生成装置,其生成从该喷嘴喷出的细微气泡。

2.一种晶片分离输送装置,其特征如下,具有:卡带,其将被成片化的多片晶片按紧贴状态的纵向放置的方式装入,并且至少上下地开放;和卡带支撑体,其以可安装拆卸的方式支撑该卡带,并且至少上下地开放;和升降装置,其使该卡带支撑体与上述卡带一体升降;旋转装置,其设置在该升降装置上,使上述卡带支撑体与上述卡带一体旋转,以便对装在上述卡带中的晶片进行纵向放置状态和横向放置状态的切换;液槽,其装有在上述升降装置下降时将上述卡带支撑体与上述卡带一体浸渍的液体;和喷嘴,其设置在该液槽内,从上述卡带支撑体的下方向多片晶片喷出细微气泡;和细微气泡生成装置,其生成从该喷嘴喷出的细微气泡;取出单元,其从最上位取出从上述液槽内上升的处于横向放置状态的晶片;输送单元,其输送由该取出单元取出的最上位的晶片。

3.根据权利要求2所述的晶片分离输送装置,其特征如下,上述输送单元具有:缺陷判定装置,其设置在该输送路径上游侧附近,判定输送过程中出现的晶片的缺陷;和分流装置,其比该缺陷判定装置还配置在输送路径下游侧,将被判定为存在缺陷的晶片分流到与输送路径不同的废弃路径中;和回收装置,其将利用上述缺陷判定装置被判定为不存在缺陷的晶片回收。

4.根据权利要求1所述的晶片分离装置或权利要求2到权利要求3所述的晶片分离输送装置,其特征如下,具有使上述喷嘴或上述卡带支撑体沿着晶片的相邻方向移动的移动装置。

5.根据权利要求1到4的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,其特征为,具有在浸渍在上述液槽内的状态下,将上述卡带支撑体的除了下面的五个面覆盖的罩。

6.根据权利要求1到5的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,其特征为,上述细微气泡生成装置将带负电的细微气泡从上述喷嘴喷出。

7.根据权利要求1到6的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,上述细微气泡生成装置从上述喷嘴喷出细微气泡,其直径为由在将硅锭成片化时所使用的线锯切割时的沟宽度以下。

8.根据权利要求1到6的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,其特征为,上述细微气泡生成装置从上述喷嘴喷出直径为在将硅锭成片化时所使用的线锯的线径以下的细微气泡。

9.根据权利要求1到6的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,其特征为,上述细微气泡生成装置从上述喷嘴喷出直径为100μm以下的细微气泡。

10.根据权利要求1到6的任意一项所述的晶片分离装置或晶片分离输送装置,其特征为,上述细微气泡生成装置将直径为平均20μm以下的细微气泡从上述喷嘴喷出。

11.根据权利要求2到10的任意一项所述的晶片分离输送装置,其特征为,将被成片化的多片晶片在紧贴状态下以纵向放置的方式装入上述卡带中,以便在将硅锭成片化时使用的线锯的运行方向与利用上述取出单元以及上述输送单元进行的晶片取出·输送方向相同。

12.根据权利要求2到11的任意一项所述的晶片分离输送装置,其特征为,上述旋转装置在将上述卡带支撑体竖起时,支撑上述卡带支撑体,以便装在上述卡带内的处于纵向放置状态的晶片上缘部分接近上述液槽的纵向内壁面。

13.一种晶片分离方法,其特征为,具有:装入步骤,将被成片化的多片晶片以紧贴状态的纵向放置的方式装入至少上下开放的卡带内;和安装支撑步骤,将上述卡带安装支撑在至少上下开放的卡带支撑体上;和下降步骤,使用升降装置,使上述卡带支撑体与上述卡带一体下降,并将纵向放置状态的晶片浸渍在液槽内的液体中;和细微气泡喷出步骤,从上述卡带支撑体的下方向纵向放置状态的晶片喷出由细微气泡生成装置生成的细微气泡,并使细微气泡侵入并停留在多片的各晶片内。

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