[发明专利]光电子半导体器件无效
| 申请号： | 201080004438.7 | 申请日： | 2010-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102272952A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 亚历山大·贝雷斯;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/32;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
1.一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层(4)，所述有源层由包覆层(3a，3b)包围，其中所述包覆层(3a，3b)和/或有源层(4)具有含铟的磷化物半导体材料并且所述磷化物半导体材料包含元素Bi或Sb中的至少一种作为第V主族的附加元素。
2.根据权利要求1所述的光电子半导体器件，其中所述包覆层(3a，3b)包含Bi和/或Sb。
3.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述有源层(4)既不包含Bi也不包含Sb。
4.根据权利要求1或2所述的光电子半导体器件，其中所述有源层(4)包含Bi和/或Sb。
5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体器件，其中所述磷化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yP1-zSbz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。
6.根据权利要求1至4之一所述的光电子半导体器件，其中所述磷化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yP1-zBiz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。
7.根据权利要求5或6所述的光电子半导体器件，其中0＜z≤0.03。
8.根据权利要求5至7之一所述的光电子半导体器件，其中0.3≤x≤0.7。
9.一种光电子半导体器件，其具有有源层(4)，所述有源层具有含铟的氮化物半导体材料，其中所述有源层(4)的氮化物半导体材料包含元素As、Bi或Sb中的至少一种作为第V主族的附加元素。
10.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zAsz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。
11.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zSbz，其中0＜x≤1，0≤y≤1，x+y≤1且0＜z＜1。
12.根据权利要求9所述的光电子半导体器件，其中所述氮化物半导体材料具有组成InxGayAl1-x-yN1-zBiz，其中0＜x≤1，0≤y＜1，x+y≤1且0＜z＜1。
13.根据权利要求10至12之一所述的光电子半导体器件，其中0＜z≤0.03。
14.根据权利要求10至13之一所述的光电子半导体器件，其中x≥0.1。
15.根据权利要求14所述的光电子半导体器件，其中x≥0.2。
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