[发明专利]复合磁性材料的制造方法和使用它的压粉磁芯及其制造方法无效
| 申请号： | 201080004490.2 | 申请日： | 2010-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102282634A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 若林悠也;高桥岳史;松谷伸哉 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01F1/24 | 分类号： | H01F1/24;B22F1/00;B22F3/00;B22F3/24;C21D6/00;C22C19/03;C22C38/00;H01F41/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 磁性材料 制造 方法 使用 压粉磁芯 及其 | ||
1.一种压粉磁芯，其是含有金属磁性粉末和绝缘材料的压粉磁芯，其特征在于，
所述金属磁性粉末的维氏硬度Hv为230≤Hv≤1000的范围，
所述绝缘材料的压缩强度为10000kg/cm2以下，并且所述绝缘材料处于机械性损坏状态，
在所述金属磁性粉末间夹设有所述处于机械性损坏状态的绝缘材料。
2.根据权利要求1所述的压粉磁芯，其中，所述金属磁性粉末包含Fe-Ni系、Fe-Si-Al系、Fe-Si系、Fe-Si-Cr系、Fe系中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的压粉磁芯，其中，所述金属磁性粉末的平均粒径为1～100μm。
4.根据权利要求1所述的压粉磁芯，其中，所述绝缘材料包含h-BN、MgO、莫来石3Al2O3·2SiO2、滑石MgO·SiO2、镁橄榄石2MgO·SiO2、堇青石2MgO·2Al2O3·5SiO2、锆石ZrO2·SiO2的无机物中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的压粉磁芯，其中，所述绝缘材料具有1200℃以上的熔点。
6.根据权利要求1所述的压粉磁芯，其中，所述金属磁性粉末的填充率以体积换算为80％以上。
7.一种压粉磁芯的制造方法，其特征在于，
包括：将包含维氏硬度Hv为230≤Hv≤1000的范围的金属磁性材料和压缩强度为10000kg/cm2以下的绝缘材料的复合磁性材料，加压成形而形成成形体的步骤；以及进行所述成形体的热处理的步骤，
在形成所述成形体的步骤中，使所述绝缘材料为机械性损坏状态。
8.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，在进行所述成形体的热处理的步骤中，在非氧化性气氛下以700～1150℃的温度将所述成形体退火。
9.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，所述金属磁性粉末包含Fe-Ni系、Fe-Si-Al系、Fe-Si系、Fe-Si-Cr系、Fe系中的至少一种。
10.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，所述金属磁性粉末的平均粒径设为1～100μm。
11.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，所述绝缘材料包含h-BN、MgO、莫来石3Al2O3·2SiO2、滑石MgO·SiO2、镁橄榄石2MgO·SiO2、堇青石2MgO·2Al2O3·5SiO2、锆石ZrO2·SiO2的无机物中的至少一种。
12.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，所述绝缘材料具有1200℃以上的熔点。
13.根据权利要求7所述的压粉磁芯的制造方法，其中，所述金属磁性粉末的填充率以体积换算为80％以上。
14.一种复合磁性材料的制造方法，其特征在于，包括：
以使所述金属磁性粉末的维氏硬度Hv为230≤Hv≤1000的范围的方式来提高金属磁性粉末的硬度的步骤，以及
在所述金属磁性粉末间分散压缩强度为10000kg/cm2以下的绝缘材料的步骤。
15.根据权利要求14所述的复合磁性材料的制造方法，其中，在将所述金属磁性粉末的体积设为100体积％时，将所述绝缘材料的配合量设为1～10体积％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080004490.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
