[发明专利]形成多晶金刚石切割元件的方法，所形成的切割元件和所装备的钻头

权利要求书

1.一种形成多晶金刚石元件的方法，该方法包括：

在催化剂存在下，在足以形成金刚石和金刚石结合的温度下形成多晶金刚石复合片；

从多晶金刚石复合片基本上移除催化剂；以及

在足够高以维持多晶金刚石复合片中金刚石和金刚石结合的稳定性的温度和压力下，在至少部分不同于催化剂材料的粘结剂材料的存在下，将从其中基本移除催化剂的多晶金刚石复合片固定到支持基材。

2.根据权利要求1的方法，其中通过浸取实施从多晶金刚石复合片基本上移除催化剂。

3.根据权利要求2的方法，其中多晶金刚石复合片在支持基材上形成，并且由此移除在其上形成有多晶金刚石复合片的支持基材。

4.根据权利要求2的方法，其中多晶金刚石复合片作为独立式结构形成。

5.根据权利要求1的方法，还包括从多晶金刚石复合片的至少一个区域移除粘结剂材料。

6.根据权利要求5的方法，其中通过浸取从多晶金刚石复合片的至少一个区域移除粘结剂材料。

7.根据权利要求5的方法，其中从多晶金刚石复合片的至少一个区域移除粘结剂材料包括从多晶金刚石复合片的切割面的至少一部分和多晶金刚石复合片的侧表面的至少一部分中的至少之一移除粘结剂材料。

8.根据权利要求1的方法，其中用于形成金刚石台的温度和压力的至少之一高于用于将从其中基本移除催化剂的多晶金刚石复合片固定到支持基材的单个温度或压力。

9.根据权利要求1的方法，其中用于形成金刚石台的温度和压力的至少之一低于用于将从其中基本移除催化剂的多晶金刚石复合片固定到支持基材的单个温度或压力。

10.根据权利要求1的方法，其中形成多晶金刚石复合片的压力基本上不同于用于将多晶金刚石复合片固定到支持基材的压力。

11.一种多晶金刚石元件，包含：

采用催化剂形成的多晶金刚石复合片；以及

固定到多晶金刚石复合片的支持基材；

其中多晶金刚石元件包含至少部分不同于催化剂材料的粘结剂材料。

12.根据权利要求11的多晶金刚石元件，其中所述多晶金刚石复合片基本上不含催化剂。

13.根据权利要求12的多晶金刚石元件，其中所述多晶金刚石元件的至少一个区域基本上不含粘结剂材料。

14.根据权利要求13的多晶金刚石元件，其中所述至少一个区域包含与切割面相邻的区域和与多晶金刚石复合片的侧表面相邻的区域中的至少之一。

15.根据权利要求11的多晶金刚石元件，其中所述粘结剂材料包含另一种不同的催化剂。

16.一种用于钻探地下岩层的钻头，包含：

本体；

用于将本体连接到钻柱的结构；

固定到本体用于处理地下岩层的至少一个切割元件，

该至少一个切割元件包含：

采用催化剂形成的多晶金刚石复合片；以及

固定到多晶金刚石复合片的支持基材；

其中多晶金刚石元件包含至少部分不同于催化剂材料的粘结剂材料。

17.根据权利要求16的钻头，其中所述多晶金刚石复合片基本上不含催化剂。

18.根据权利要求17的钻头，其中所述多晶金刚石元件的至少一个区域基本上不含粘结剂材料。

19.根据权利要求18的钻头，其中所述至少一个区域包含与切割面相邻的区域和与多晶金刚石复合片的侧表面相邻的区域中的至少之一。

20.根据权利要求16的钻头，其中所述粘结剂材料包含另一种不同的催化剂。