[发明专利]光学信息记录介质、记录方法、再生方法以及记录再生装置

权利要求书

1.一种光学信息记录介质，具备：

基板；

覆盖层；和

被所述基板以及所述覆盖层所夹的第1信息层，

通过从所述覆盖层一侧照射光束，在所述第1信息层记录信息，对记录于所述第1信息层的信息进行再生，

所述第1信息层包含：记录膜、和配置于所述记录膜和所述覆盖层之间的保护膜，

所述覆盖层和所述记录膜之间的距离为0.5nm以上12nm以下。

2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，其中，

所述光学信息记录介质还具备设于所述基板和所述第1信息层之间的第2信息层。

3.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，其中，

所述记录膜包含追记型的记录材料。

4.根据权利要求3所述的光学信息记录介质，其中，

所述追记型的记录材料包含从由Cr-O、Zn-O、Ga-O、In-O、Sn-O、Sb-O、Bi-O以及Te-O构成的群中选出的至少一种。

5.根据权利要求4所述的光学信息记录介质，其中，

所述第1信息层还具有设于所述记录膜和所述基板之间的反射膜。

6.根据权利要求5所述的光学信息记录介质，其中，

所述第1信息层具有设于所述记录膜和所述反射膜之间的中间膜。

7.根据权利要求6所述的光学信息记录介质，其中，

所述保护膜包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种，

在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为50at％以上。

8.根据权利要求7所述的光学信息记录介质，其中，

所述保护膜分别包含从由Zn-O、Te-O以及Sn-O构成的群中选出的至少一种、和从由Cr-O、Sb-O、Bi-O、In-O以及Ga-O构成的群中选出的至少一种，

在所述保护膜中，Zn、Te以及Sn的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为33at％以上96at％以下，Cr、Sb、Bi、In以及Ga的合计相对于除了氧以外的全部原子的比例为4at％以上67at％以下。

9.根据权利要求8所述的光学信息记录介质，其中，

所述第1信息层的槽的间距为1μm以下。

10.一种光学信息记录介质的记录方法，在权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息。

11.一种光学信息记录介质的再生方法，用波长为450nm以下的光束对记录于权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。

12.一种记录再生装置，进行如下的至少一方：

在权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中，用波长为450nm以下的光束来记录信息；和

用波长为450nm以下的光束对记录于权利要求1～9中任一项所述的光学信息记录介质中的信息进行再生。