[发明专利]导电密封环静电吸盘

权利要求书

1.一种衬底处理系统中的静电吸盘，包括：

主体，所述主体具有被构造成支撑所述衬底的顶表面；

电源，所述电源用于向所述主体施加电压；以及

密封环，所述密封环位于所述主体和所述衬底之间，所述密封环具有导电层。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层是耐等离子体的。

3.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。

4.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含金属。

5.根据权利要求4所述的静电吸盘，其中，所述金属选自由Pt、Pd、Rh和Ni组成的组。

6.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层是导电的氧化物。

7.根据权利要求6所述的静电吸盘，其中，所述导电氧化物选自由ITO和SnO组成的组。

8.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含碳。

9.根据权利要求8所述的静电吸盘，其中，所述导电层包含纳米管。

10.根据权利要求1所述的静电吸盘，其中，所述电源还包括一个或多个电极。

11.一种衬底处理系统中的静电吸盘，包括：

主体，所述主体具有被构造成支撑所述衬底的顶表面；

电源，所述电源用于向所述主体施加电压；以及

密封环，所述密封环位于所述主体和所述衬底之间，所述密封环是导电的。

12.根据权利要求11所述的静电吸盘，其中，利用离子对所述密封环进行注入。

13.根据权利要求11所述的静电吸盘，其中，所述密封环具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。

14.一种用于制造在衬底处理系统中使用的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括：

提供所述密封环；

将离子注入到所述密封环中；以及

对经注入的密封环进行退火。

15.一种用于制造在衬底处理系统中使用的静电吸盘的导电密封环的方法，所述方法包括：

提供所述密封环；以及

向所述密封环涂布导电涂层，根据由溅射、蒸发、化学气相沉积、脉冲激光沉积、电镀、热喷涂、等离子体喷涂、丝网印刷、涂敷和摩擦组成的组，来执行所述涂层的所述涂布。

16.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层的所述涂布还包括：

向所述密封环涂布初始粘附层；

向所述初始粘附层涂布中间阻挡层；以及

向所述中间阻挡层涂布导电层。

17.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层是耐等离子体的。

18.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层具有小于或等于约1000欧姆每平方的薄膜电阻。

19.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包含金属。

20.根据权利要求19所述的制造导电密封环的方法，其中，所述金属选自由Pt、Pd、Rh和Ni组成的组。

21.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层是导电氧化物。

22.根据权利要求21所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电氧化物选自由ITO和SnO组成的组。

23.根据权利要求15所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包含碳。

24.根据权利要求23所述的制造导电密封环的方法，其中，所述导电涂层包括纳米管。