[发明专利]用于生产硅细棒的方法和设备

权利要求书

1.用于根据无坩埚的基座结晶法生产硅细棒的方法，其中，从硅原棒的上端部上的熔液中穿过扁平的感应线圈向上提拉硅细棒，所述硅原棒具有在技术上常见的直径，所述熔液通过所述扁平的、由HF电流流过的感应线圈产生，所述感应线圈具有仅仅一匝并且由具有作为馈电装置的缝隙的盘组成，

其特征在于，

如此修改已知的基座法，使得仅仅用于所述熔液的感应加热的所述扁平的感应线圈(1)除电流环流的中央开口(4)外还具有一些另外的提拉开口(5.1、5.2、5.3、5.4)，通过这些另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)各提拉一个硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在开始阶段中，使分别固定在一个支架(7.1，7.2，7.3，7.4)上的多个硅晶核棒(8.1，8.2，8.3，8.4)穿过所述提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)在所述硅原棒(6)的顶部上的由所述感应线圈(1)熔化的熔池(6.1)中接触所述熔液，并且随后进行培育，其方式是，将所述硅晶核棒(8.1，8.2，8.3，8.4)分别通过一个提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)向上提拉。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述感应线圈(1)的上方设置有用于抑制向进行结晶的硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)的感应热量传输的装置。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，同步地向上提拉具有所述硅晶核棒(8.1，8.2，8.3，8.4)的所述支架(7.1，7.2，7.3，7.4)和在所述硅晶核棒(8.1，8.2，8.3，8.4)上生长的所述硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述硅原棒(6)在提拉过程期间以这样的速度向上跟踪，以致在所述熔池(6.1)中始终有足够的、熔化的材料量可供所述硅细棒(9.1、9.2、9.3、9.4)的培育使用。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所使用的硅原棒(6)具有硼和/或其他掺杂物质的掺杂，使得所提拉的硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)具有所期望的掺杂。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述过程中将掺杂物质输送给所述熔液。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在封闭的容器中在保护气体环境下实施所述方法。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过位于提拉室的上部分中的气闸将所述生长的硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)连续地从所述提拉室提拉到外部空间中，使得所述提拉过程可以一直持续，直到所述硅原棒(6)的熔化的材料储备消耗完。

10.用于实施根据权利要求1至8的方法的设备，其中，使用扁平的感应线圈，所述感应线圈具有仅仅一匝并且由具有作为馈电装置的缝隙的盘组成，其特征在于，所述感应线圈(1)除由HF电流环流的中央开口(4)外还具有一些另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)，这些另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)不由环形电流环流，并且通过这些另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3、5.4)可分别提拉一个硅细棒(9.1，9.2，9.3，9.4)。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述另外的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)相对于所述中央开口(4)同心地并且以近似相同的彼此间距设置。

12.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述另外的提拉开口(5.1、5.2、5.3、5.4)成对地并且分别相对于所述中央开口(4)对称地设置。

13.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述单匝的感应线圈(1)的横截面完全覆盖所述硅原棒(6)的横截面。

14.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，以小的间距在所述感应线圈(1)的上方设置有隔离板(11)，所述隔离板(11)具有一些与所述感应线圈(1)中的提拉开口(5.1，5.2，5.3，5.4)完全一致地设置的开口(11.1，11.2，11.3，11.4)。