[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在半导体基板的表面形成第一绝缘膜，

在所述第一绝缘膜中形成电极部，

形成覆盖所述电极部的势垒层，

形成与所述电极部连接的硅化物层，

形成自所述半导体基板的背面贯通至所述表面的通孔，

在所述通孔的侧壁及所述半导体基板的所述背面形成第二绝缘膜，

在蚀刻所述第二绝缘膜而使所述通孔内的所述硅化物层和所述第一绝缘膜露出之后，

在所述通孔的所述侧壁上的所述第二绝缘膜、所述半导体基板的所述背面上的所述第二绝缘膜、所述通孔的底面的所述第一绝缘膜以及所述硅化物层上形成贯通电极层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述贯通电极层之前，使用所述电极部测定形成于所述半导体基板的电路的电气特性。

3.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一绝缘膜，其形成于半导体基板的表面；

电极部，其在所述第一绝缘膜中形成且被势垒层覆盖；

通孔，其自所述半导体基板的背面贯通至所述表面；

第二绝缘膜，其形成于所述通孔的侧壁及所述半导体基板的所述背面；

贯通电极层，其在所述通孔的所述侧壁上的所述第二绝缘膜、所述半导体基板的所述背面上的所述第二绝缘膜以及所述通孔的底面的所述第一绝缘膜上形成；以及

硅化物层，其在所述第一绝缘膜中形成，且形成在所述电极部和所述贯通电极层之间，并且与所述电极部及所述贯通电极层连接；

其中，以包含所述通孔中心轴的平面剖开的截面中的、所述硅化物层的宽度A和所述通孔的底部宽度B之间的关系满足A≤B。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

经由所述硅化物层与所述电极部电连接的所述贯通电极层的底面形状是平坦的。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

以包含所述通孔中心轴的平面剖开的截面中的、所述第一绝缘膜的直径C和所述硅化物层的直径A之间的关系满足C≥A。

6.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一绝缘膜为SiO2、氮氧化膜或氮化膜。

7.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一绝缘膜上形成有多晶硅膜或非晶硅膜。

8.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述硅化物层由硅化钨、硅化钛、硅化钴或硅化镍中的任一种构成。

9.如权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，

所述势垒层由钛、氮化钛、钛钨合金、钽、氮化钽、高融点金属或其层叠膜构成。