[发明专利]太阳能电池及其制造方法、以及形成杂质区的方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池和制造太阳能电池的方法、以及形成太阳能电池的杂质区的方法。

背景技术

近来，由于预见到现有能源(如石油和煤)是会被耗尽的，因此对于代替现有能源的另选能源越来越感兴趣。在这些另选能源中，从太阳能产生电能的太阳能电池尤其受到关注。硅太阳能电池一般包括各自由半导体形成的基板和射极区、以及分别在基板和射极区上形成的多个电极。形成基板和射极区的半导体具有不同的导电类型，诸如p型和n型。在基板和射极区之间的界面处形成p-n结。

当光入射在太阳能电池上时，在半导体中产生多个电子-空穴对。通过光伏效应而使得电子-空穴对分离为电子和空穴。因而，分离出的电子移动到n型半导体(如，射极区)，并且分离出的空穴移动到p型半导体(如，基板)，电子和空穴分别由电连接到射极区的电极和电连接到基板的电极收集。使用电线将电极彼此连接以由此获得电能。

发明内容

技术问题

本发明的实施方式提供能够提高效率的太阳能电池及其制造方法。

对问题的解决方案

根据本发明的一方面，一种用于形成太阳能电池的杂质区的方法可以包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成包含杂质的杂质层；并且通过在所述杂质层上照射激光束而使得所述杂质扩散到所述基板中。

形成杂质层的步骤可以通过使用丝网印刷方法来形成杂质层。

形成杂质层的步骤可以通过使用溅射方法、喷墨方法、旋涂方法或喷射方法来形成杂质层。

根据本发明的另一方面，一种太阳能电池的制造方法可以包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成杂质层，所述杂质层具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质；通过加热具有所述杂质层的所述基板，使用所述杂质层在所述基板中形成具有第一杂质浓度的第一射极部分；通过在所述杂质层的区域上照射激光束，使用所述杂质层在所述第一射极部分处形成具有第二杂质浓度的第二射极部分，所述第二杂质浓度大于所述第一杂质浓度；并且形成连接到所述第二射极部分的第一电极以及连接到所述基板的第二电极。

所述第二射极部分的杂质掺杂深度可以不同于所述第一射极部分的杂质掺杂深度。

所述第二射极部分可以是线型或点型。

形成杂质层的步骤可以通过使用丝网印刷方法来形成所述杂质层。

形成杂质层的步骤可以通过使用溅射方法、喷墨方法、旋涂方法或喷射方法来形成所述杂质层。

可以在所述基板的整个表面上形成所述杂质层。

可以在所述基板的一部分上形成所述杂质层。

该方法还可以包括以下步骤：在形成所述第二射极部分之后去除所述杂质层。

根据本发明的另一方面，一种太阳能电池的制造方法可以包括以下步骤：在第一导电类型的基板上形成第一杂质层和第二杂质层，所述第一杂质层包含与所述第一导电类型相反的第二导电类型的杂质，并且所述第二杂质层包含所述第一导电类型的杂质；通过加热所述基板，在所述基板的形成有所述第一杂质层的部分中形成第一杂质部分，在所述基板的形成有所述第二杂质层的部分中形成第二杂质部分；通过在所述第一杂质层的一部分上照射激光束，在所述第一杂质部分处形成第一高掺杂部分，该第一高掺杂部分具有比所述第一杂质部分的杂质浓度高的杂质浓度，通过在所述第二杂质层的一部分上照射激光束，在所述第二杂质部分处形成第二高掺杂部分，该第二高掺杂部分具有比所述第二杂质部分的杂质浓度高的杂质浓度；并形成连接到所述第一高掺杂部分的第一电极以及连接到所述第二高掺杂部分的第二电极。

可以同时形成所述第一杂质部分和所述第二杂质部分。

可以同时形成所述第一高掺杂部分和所述第二高掺杂部分。

根据本发明的另一方面，一种太阳能电池的制造方法可以包括以下步骤：在第一导电类型的基板中形成杂质部分，所述杂质部分具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；在所述杂质部分的一部分上形成包含所述第二导电类型的杂质的杂质层；通过将所述第二导电类型的杂质注入到所述杂质部分的区域中，通过在所述杂质层上照射激光束，形成高掺杂部分；并形成连接到所述高掺杂部分的第一电极以及连接到所述基板的第二电极。

形成杂质层的步骤可以通过使用丝网印刷方法来形成所述杂质层。

形成杂质层的步骤可以通过使用溅射方法、喷墨方法、旋涂方法或喷射方法来形成所述杂质层。