[发明专利]糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件无效

专利信息
申请号: 201080005173.2 申请日: 2010-01-14
公开(公告)号: CN102292820A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 和辻隆;菊地健;越智裕;石桥直明 申请(专利权)人: 东洋铝株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04;H01B1/22
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 金龙河;樊卫民
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 组合 使用 太阳能电池 元件
【权利要求书】:

1.一种糊组合物,用于在硅半导体衬底(1)上形成杂质层(7)或电极层(5),其特征在于,

含有铝包覆化合物粉末,并且构成所述铝包覆化合物粉末的各铝包覆化合物粒子包含:选自由无机化合物和有机化合物组成的组中的至少1种化合物粒子;和包覆所述化合物粒子的表面、位于所述铝包覆化合物粒子的最外表面、并且含有铝的含铝包覆层。

2.如权利要求1所述的糊组合物,其还含有选自由有机载体、玻璃粉及铝粉末组成的组中的至少1种。

3.如权利要求1所述的糊组合物,其含有1.0质量%以上且90.0质量%以下的所述铝包覆化合物粉末。

4.如权利要求1所述的糊组合物,其中,所述铝包覆化合物粒子的平均粒径为0.01μm以上且30.0μm以下。

5.如权利要求1所述的糊组合物,其中,所述含铝包覆层的平均厚度为0.1μm以上且15.0μm以下。

6.如权利要求1所述的糊组合物,其中,构成所述铝包覆化合物粉末的各铝包覆化合物粒子还包含介于所述化合物粒子与所述含铝包覆层之间、且含有除铝之外的金属的含金属夹层。

7.一种太阳能电池元件,其特征在于,具备:通过将权利要求1所述的糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)上后进行煅烧而形成的杂质层(7)。

8.一种太阳能电池元件,其特征在于,具备:通过将权利要求1所述的糊组合物涂布到硅半导体衬底(1)上后进行煅烧而形成的杂质层(7)和电极层(5)。

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