[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置是对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银相接合的半导体装置，其特征在于，具有：

在对基体的表面设置的银或氧化银之上配置对半导体元件的表面设置的银或氧化银以使两者接触的工序；

对半导体元件或基体施加压力或施加超声波振动、将半导体元件与基体临时接合的工序；

对半导体元件及基体施加150℃～900℃的温度、将半导体元件与基体正式接合的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

临时接合的工序和正式接合的工序是同时进行的。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

正式接合的工序在大气中或在氧环境中进行。

4.一种半导体装置，其特征在于，

将对基体的表面设置的银或氧化银与对半导体元件的表面设置的银或氧化银直接接合，晶片剪切强度是13MPa～55MPa。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

半导体元件是半导体发光元件。

6.如权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

半导体元件在透光性无机基板上形成有半导体层，透光性无机基板在与形成有半导体层的一侧相反的一侧设置有第1银，设有与第1银接合的缓冲部件，在缓冲部件的表面设置有银或氧化银。