[发明专利]太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一导电类型的半导体基板；

包括晶体部分的第一非晶半导体层；

所述半导体基板上的第一电极部分；以及

所述半导体基板上的第二电极部分。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述非晶半导体层包括具有与所述第一导电类型相反的第二导电性的第一半导体层。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述非晶半导体层的结晶度等于或小于大约10％。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述非晶半导体层包括位于所述第一半导体层和所述半导体基板之间的第一本征半导体层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述第一本征半导体层包括晶体子层，所述晶体子层包括所述晶体部分。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述半导体基板上的所述第一导电类型的第二非晶半导体层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第二非晶半导体层和所述半导体基板之间的本征半导体层。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第二非晶半导体层的结晶度等于或小于大约30％。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其中，所述本征半导体层包括晶体子层，所述晶体子层包括所述晶体部分。

10.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述第二非晶半导体层形成在所述半导体基板的背侧上，所述半导体基板的背侧与所述半导体基板的光入射侧相反。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中，所述第二电极部分形成在所述第二非晶半导体层上。

12.根据权利要求11所述的太阳能电池，其中，所述第二电极部分包括透明电极和金属电极。

13.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基板由单晶硅或多晶硅形成。

14.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一非晶半导体层由非晶硅形成。

15.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一非晶半导体层形成在所述半导体基板的光入射侧上。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中，所述第一电极部分形成在所述第一非晶半导体层上。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其中，所述第一电极部分包括透明电极和金属电极。

18.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述第一非晶半导体层形成在所述半导体基板的背侧上，所述半导体基板的背侧与所述半导体基板的光入射侧相反。

19.根据权利要求18所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述半导体基板的所述光入射侧上的第二非晶半导体层。

20.根据权利要求19所述的太阳能电池，其中，所述第二非晶半导体层是本征半导体层。

21.根据权利要求19所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括位于所述第二非晶半导体层上的防反射层。

22.根据权利要求18所述的太阳能电池，其中，所述第一电极部分形成在所述第一非晶半导体层上。

23.根据权利要求22所述的太阳能电池，其中，所述第一电极部分包括透明电极和金属电极。

24.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：

第一导电类型的半导体基板；

非晶硅的第一钝化层，该第一钝化层包括晶体部分，位于所述半导体基板上；

所述第一钝化层上的非晶硅的射极层；

所述射极层上的第一电极部分；以及

所述半导体基板上的第二电极部分。

25.根据权利要求24所述的太阳能电池，该太阳能电池还包括背面场层，所述背面场层包括晶体部分，位于所述半导体基板上。

26.根据权利要求25所述的太阳能电池，其中，所述背面场层的结晶度大于所述射极层的结晶度。