[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种对诸如板的待处理对象执行等离子体处理的等离子体处理装置。

背景技术

等离子体处理被公知为一种用于清洗或刻蚀待处理对象(诸如其上安装有电子部件的板)的表面处理方法。在等离子体处理中，待处理的板被放在形成处理腔的真空腔内。然后，在处理腔内产生等离子体放电，以使得作为等离子放电的结果而产生的离子和电子作用于板的表面，从而执行所希望的表面处理。为了以较高的质量稳定地执行等离子体处理，必须响应于根据处理目的而已提前确定的放电条件来适当地产生等离子体放电。因此，为了监视等离子体的产生的状态的目的，已提出了各种手段和方法(参见专利文件1至3)。

在专利文件1中，包括用于检测电势的探测电极的放电检测传感器被附接到包括处理腔的真空腔，并检测根据等离子体的改变的、在探测电极处感应的电势的改变，从而检测在处理腔中是否存在异常放电。在专利文件2中，由照相机来拍摄反应腔的内部的图像，并且通过检测由异常放电造成的光的发射来指明异常放电的产生及产生位置。在专利文件3中，由诸如CCD的图像传感器来检测等离子体腔中的等离子体光，从而监视等离子体处理。

相关技术文件

专利文件

专利文件1：JP-A-2001-319922

专利文件2：JP-A-2003-318115

专利文件3：JP-A-11-67732

发明内容

本发明要解决的问题

近来，在制造要对其应用等离子体处理的电子部件的领域中，对于需要高耐久性的诸如车载部件的高质量的部件来说，需要与相关技术相比更详细的质量管理。为此，即使在等离子体处理过程中，也必须不仅通过只检测异常放电而且通过查明异常的原因来稳定处理质量。

然而，在上述专利文件中公开的相关技术中，可以检测异常放电的产生，但不提供对查明异常的原因有用的数据。为此，当试图查明异常的原因时，为了再现异常的目的，必须通过付出许多时间、努力和人力的反复实验(trial and error)来重复测试。因为即使在上述再现测试中许多元素也与产生等离子体的状态复杂相关，所以在严格的意义上不可能再现异常。因此，很难查明异常的原因。

本发明的目的是提供一种能够获得对查明等离子体处理中的异常放电的原因有用的数据的等离子体处理装置。

解决问题的手段

根据本发明的等离子体处理装置包括真空腔、等离子体处理执行部分和放电状态检测单元。所述真空腔形成其中容纳待处理对象的处理腔。等离子体处理执行部分在所述处理腔中的减小的压力状态下将等离子体产生气体引入所述处理腔中，通过施加高频电压来激励所述等离子体产生气体，并对容纳在所述处理腔中的待处理对象执行等离子体处理。所述放电状态检测单元检测在所述处理腔中的异常放电。该等离子体处理装置包括窗口部分、照相机、第一存储部分、第二存储部分和图像数据提取单元。所述窗口部分被形成在所述真空腔处。所述照相机通过所述窗口部分来拍摄所述真空腔的内部的图像，并输出运动图像数据。所述第一存储部分存储从所述照相机输出的运动图像数据。所述第二存储部分存储从所述第一存储部分中提取的运动图像数据。当所述放电状态检测单元检测到异常放电时，所述图像数据提取单元从所述第一存储部分中至少提取示出异常放电的产生状态的运动图像数据并且将所提取的运动图像数据存储到所述第二存储部分中。

本发明的优点

根据本发明，在处理腔中容纳待处理对象并执行等离子体处理的等离子体处理装置可以通过存储运动图像数据来获得对于查明等离子体处理中的异常放电的原因有用的运动图像数据，所存储的运动图像数据至少包括当用于检测处理腔中的异常放电的放电状态检测单元检测到异常放电时的异常放电的产生状态。

附图说明

图1是根据本发明的实施例的等离子体处理装置的剖面图。

图2(a)和图2(b)是示出根据本发明的实施例的等离子体处理装置的操作的视图，其中，图2(a)是示出盖子部分被上移的状态的视图，且图2(b)是示出盖子部分被移下的状态的视图。

图3是示出根据本发明的实施例的在等离子体处理装置中使用的放电检测传感器的结构的视图。