[发明专利]薄膜硅串叠型电池

权利要求书

1.薄膜硅串叠型电池，其包括：

●玻璃衬底，其对入射光透明，所述入射光待由所述电池光电转化；在其上

●透明导电氧化物顶层；在其上

●非晶硅顶部电池；在其上

●半透明反射层，其反射在500-750nm的波长谱中的光；在其上

●微晶底部电池；在其上

●透明导电氧化物底层；在其上白光反射体，

其中：

☆所述半透明反射层具有n-掺杂的氧化硅且具有低于1.7的折射率n，和

☆所述非晶硅顶部电池的厚度低于200nm。

2.权利要求1的电池，其中所述n为1.68。

3.权利要求1或2中任一项的电池，其中所述半透明反射层的厚度d为30nm或50nm，且所述底部电池的电流低于所述顶部电池的电流，相差的失配电流JΔ分别为0.5mA/cm²和1.5mA/cm²，且在标准试验条件下于AM 1.5太阳光谱下光浸润1000小时之后所述串叠型电池的效率为10-10.5％。

4.权利要求3的电池，其中光致衰退低于8.2％。

5.权利要求3或4中任一项的电池，其中V_OC的光致衰退为1-2％。

6.权利要求1的电池，其中所述氧化硅具有57-65％的氧含量。

7.权利要求1的电池，其中所述透明导电氧化物顶层具有LPCVD沉积的ZnO且具有高于7％的霾系数。

8.权利要求7的电池，其中所述霾系数为13％。

9.权利要求8的电池，其中所述半透明反射层的厚度为30nm或50nm。

10.权利要求7-9中任一项的电池，其中所述半透明反射层的厚度d为5-150nm、优选为20-100nm。

11.制造在串叠型太阳能电池的非晶硅电池和微晶硅电池之间的半透明反射层的方法，其包括通过具有以下设置的40MHz Rf PECVD工艺沉积作为n-掺杂的氢化氧化硅层的所述反射层：

温度：150-250℃，

压力：0.3-5mbar

功率密度：60-250mW/cm²

时间：100-4000秒

且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具，设置以下气流：

SiH₄：3-30sccm

H₂：300-3000sccm

H₂中的PH₃，2ppm：50-500sccm

CO₂：10-50sccm，

由此如果使用不同沉积工具，则使所述气流适应这样的不同沉积工具。

12.权利要求11的方法，其中有效的是：

压力：1-4mbar

功率密度：100-200mW/cm²

且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具：

SiH₄：4-15sccm

H₂：500-2000sccm

H₂中的PH₃，2ppm：100-300sccm

CO₂：10-30sccm。

13.权利要求11的方法，其中有效的是：

压力：2-3mbar

功率密度：100-170mW/cm²

时间：500-2000sec

且如果利用Oerlikon KAI-M等离子体增强化学气相沉积反应器作为沉积工具：

SiH₄：4-8sccm

H₂：1400-1700sccm

H₂中的PH₃，2ppm：150-300sccm

CO₂：15-25sccm。