[发明专利]EUV光刻用反射型掩模基板的制造方法

权利要求书

1.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上至少依次形成反射EUV光的反射层及吸收EUV光的吸收层的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，

其特征在于，所述静电吸盘在主体上依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。

2.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，该方法是用静电吸盘吸附保持玻璃衬底，通过溅射法在所述玻璃衬底上形成反射EUV光的反射层以及在该反射层的上层形成吸收EUV光的吸收层的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，

其特征在于，至少在形成所述反射层及所述吸收层时，所述静电吸盘在主体的吸附面侧依次具备由有机高分子膜形成的下部电介质层、由导电性材料形成的电极部及由有机高分子膜形成的上部电介质层，所述电极部包括正电极和负电极。

3.如权利要求1或2所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层包含2层以上的有机高分子膜。

4.如权利要求1～3中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述上部电介质层包含2层以上的有机高分子膜。

5.如权利要求1～4中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的绝缘击穿耐压在3.0kV以上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的抗拉强度在50MPa以上。

7.如权利要求1～6中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的拉伸伸长率在20％以上。

8.如权利要求1～7中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层的拉伸弹性率在1.0GPa以上。

9.如权利要求1～8中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层及所述上部电介质层包括选自聚酰亚胺膜、聚烯烃类材料膜、有机硅膜、聚氯乙烯膜及聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的至少1层有机高分子膜。

10.如权利要求1～9中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述下部电介质层的厚度为所述上部电介质层的厚度的2倍以上。

11.如权利要求1～10中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述上部电介质层的厚度为10～500μm。

12.如权利要求1～11中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘在所述上部电介质层的吸附面侧具备用于减少与被吸附保持的玻璃衬底的接触面积的突起部。

13.如权利要求12所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述突起部的高度为5～50μm。

14.如权利要求12或13所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述突起部与被吸附保持的玻璃衬底的接触面积合计为所述上部电介质的表面积的0.1～25.0％。

15.如权利要求1～14中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述正电极及所述负电极分别具有梳齿型的形状，各梳齿以隔开空隙邻接的方式配置。

16.如权利要求1～15中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述静电吸盘的所述电极部的厚度在10μm以下。

17.如权利要求1～16中任一项所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，在所述玻璃衬底的被吸附保持于所述静电吸盘的一侧的表面设置有导电膜。