[发明专利]用于在芯片内放置有源和无源装置的技术

权利要求书

1.一种半导体裸片，其包含：

半导电衬底层，其具有第一和第二侧面；

金属层，其邻近于所述半导电衬底层的所述第二侧面；

有源层，其安置于所述半导电衬底层的所述第一侧面上；以及

无源装置，其位于所述金属层中，其适于耦合到所述有源层。

2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述无源装置包含电感器。

3.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述无源装置包含电容器。

4.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述有源层包含有源装置，且其中所述有源装置包含晶体管。

5.根据权利要求1所述的半导体裸片，其进一步包含：

穿硅通孔，其提供所述无源装置与所述有源层之间的电耦合。

6.根据权利要求5所述的半导体裸片，其中所述穿硅通孔穿过至少五十微米的衬底材料而穿透所述衬底。

7.根据权利要求1所述的半导体裸片，其进一步包含：

迹线，其位于所述裸片的外表面上，其提供所述无源装置与所述有源层之间的电耦合。

8.根据权利要求1所述的半导体裸片，其进一步包含：

多个升高的金属层，其布置于所述有源层上方。

9.根据权利要求1所述的半导体裸片，其进一步包含一个或一个以上有源装置，所述一个或一个以上有源装置安置于所述有源层中，处于直接在所述无源装置的一区域上方的一区域内。

10.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包含：

在半导体衬底的第一侧面上制造有源层；以及

在所述半导体衬底的第二侧面上制造金属层，其中所述金属层包括无源装置。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述金属层包含金属氧化物。

12.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

穿过所述半导体衬底而制造从所述有源层到所述金属层的通孔。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在制造所述有源层之前执行所述制造至少一个通孔。

14.根据权利要求12所述的方法，其中在制造所述有源层之后执行所述制造至少一个通孔。

15.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

在所述半导体衬底外制造从所述有源层到所述金属层的至少一个边缘迹线。

16.根据权利要求10所述的方法，其进一步包含：

在所述有源层上方制造至少一个升高的金属层，所述至少一个升高的金属层提供所述有源层内的多个有源装置间的电耦合。

17.一种裸片，其包含：

有源层，其位于半导体衬底的第一侧面上；

金属层，其位于所述半导体衬底的第二侧面上；

无源装置，其位于所述金属层中；以及

用于穿过所述半导体衬底而提供所述有源层与所述无源装置之间的电连通的装置。

18.根据权利要求17所述的裸片，其中所述无源装置选自由以下各物组成的列表：电感器；以及

电容器。

19.根据权利要求17所述的裸片，其中所述金属层包含金属氧化物。

20.根据权利要求17所述的裸片，其进一步包含：

升高的金属层，其位于所述有源层上方，其提供所述有源层的有源装置间的电连接。