[发明专利]α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置无效
申请号: | 201080005711.8 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN102300955A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 江本秀幸;川越美满;野见山智宏 | 申请(专利权)人: | 电气化学工业株式会社 |
主分类号: | C09K11/64 | 分类号: | C09K11/64;C04B35/599;C09K11/08;H01L33/50 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 型赛隆 荧光 制造 方法 发光 装置 | ||
1.一种α型赛隆荧光体,该α型赛隆荧光体用通式:(M)x(Eu)y(Si,Al)12(O,N)16表示,其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素,氧含量为1.2质量%以下,构成α型赛隆的初级颗粒是柱状化的。
2.根据权利要求1所述的α型赛隆荧光体,其初级颗粒的平均长径比为2以上且50以下。
3.根据权利要求1或2所述的α型赛隆荧光体,其中,α型赛隆的晶格常数a在0.785~0.800nm的范围,晶格常数c在0.570~0.580nm的范围,Eu含量为0.2~1.7质量%。
4.根据权利要求1或2所述的α型赛隆荧光体,通过以具有250~500nm的波长的紫外线或可见光作为激发源进行照射,其显示在595~630nm范围的波长区具有峰的荧光特性。
5.一种α型赛隆荧光体,其是通过将权利要求1或2所述的α型赛隆荧光体破碎或粉碎而得到的粉末状的α型赛隆荧光体,其通过激光衍射散射法测定的粒径分布50体积%粒径(D50)为5μm以上且20μm以下。
6.根据权利要求1或2所述的荧光体,其通过激光衍射散射法测定的粒径分布10体积%粒径(D10)为2μm以上且15μm以下,且粒径分布90体积%粒径(D90)为6μm以上且50μm以下。
7.一种发光装置,其具备光源、和通过接受来自该光源的光的照射而发出可见光的一种以上的荧光体,且该荧光体是权利要求1或2中的任一项所述的α型赛隆荧光体。
8.一种α型赛隆荧光体的制造方法,该α型赛隆荧光体用通式:(M)x(Eu)y(Si,Al)12(O,N)16表示,其中M是选自由Li、Mg、Ca、Y和除La与Ce以外的镧系元素组成的组中的、至少包括Ca的一种以上的元素,其特征在于,其对将CaO/Ca3N2的摩尔比调整至0.04~0.3的范围的Ca原料进行加热和煅烧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电气化学工业株式会社,未经电气化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080005711.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:α型赛隆荧光体、其制造方法及发光装置
- 下一篇:连接器