[发明专利]包含形成图案的结构区域的化学机械平坦化垫在审
申请号: | 201080005722.6 | 申请日: | 2010-01-27 |
公开(公告)号: | CN102301455A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 保罗·莱弗瑞;阿努波·马修;斯科特·欣·乔;吴光伟;大卫·亚当·韦尔斯;奥斯卡·K·苏 | 申请(专利权)人: | 因诺派德公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;阴亮 |
地址: | 美国麻*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 包含 形成 图案 结构 区域 化学 机械 平坦 | ||
1.化学机械平坦化垫,其包括:
第一区域;以及
连续的第二区域,其中所述第一区域包含在所述连续的第二区域内规则间隔的分立元件。
2.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的第一硬度为H1且所述第二区域的第二硬度为H2,其中H1>H2。
3.如权利要求2所述的化学机械平坦化垫,其中H1为80至150洛氏硬度R且H2为40至110洛氏硬度R。
4.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,还包括至少一个附加区域,所述附加区域包含在所述连续的第二区域内规则间隔的分立元件。
5.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的第一比重为SG1且所述第二区域的第二比重为SG2,其中SG1不等于SG2。
6.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中SG1为1.0至2.0且SG2为0.75至1.5。
7.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的所述元件在所述垫的表面上纵向和横向规则间隔。
8.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的所述元件围绕着轴规则间隔。
9.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第二区域包含织物。
10.如权利要求6所述的化学机械平坦化垫,其中所述织物包含可溶的纤维。
11.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,还包括存在于所述连续的第二区域中的孔隙。
12.如权利要求11所述的化学机械平坦化垫,其中所述孔隙的最大线性尺寸为10纳米至200微米。
13.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的所述元件贯穿所述垫的部分厚度。
14.如权利要求1所述的化学机械平坦化垫,其中所述第一区域的所述元件位于所述垫的给定区域中。
15.形成化学机械平坦化垫的方法,包括:
在所述垫的连续的第二区域内形成用于第一区域的多个开口,其中所述开口在所述第二区域内规则间隔;以及
在连续的第二区域中的所述多个开口内形成所述第一区域。
16.如权利要求15所述的方法,其中冲切形成用于所述第一区域的所述多个开口。
17.如权利要求15所述的方法,还包括向所述第二区域添加聚合物前体形式的所述第一区域并固化所述聚合物前体以形成所述第一区域。
18.如权利要求17所述的方法,其中所述第二区域位于模具中;向所述模具加入所述聚合物前体;以及向所述模具加热和/或加压以固化所述聚合物前体。
19.如权利要求15所述的方法,还包括通过使用形成所述第一区域的组合物对所述第二区域进行重叠模压来形成所述第一区域。
20.如权利要求15所述的方法,其中所述连续的第二区域包括具有多个间隙的织物,所述方法还包括提供聚合物前体,其中所述聚合物前体流入所述多个间隙和形成所述第一区域的所述多个开口。
21.使用化学机械平坦化垫的方法,其包括:
使用抛光浆液和化学机械平坦化垫对基底进行抛光,其中所述化学机械平坦化垫包括第一区域和连续的第二区域,其中所述第一区域包含在所述连续的第二区域内规则间隔的分立元件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因诺派德公司,未经因诺派德公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080005722.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:顺向插卡式双卡连接器
- 下一篇:包括场发射阴极的X射线源
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造