[发明专利]用于CVD系统的气体注射器以及具有该气体注射器的CVD系统

权利要求书

1.一种用于向CVD(化学气相沉积)反应室注射气体的气体注射器，其包括：

气体输送导管，所述气体输送导管用于将气体沿着流动通道从气体入口经过该导管传输至一个或多个气体出口；

所述气体输送导管的一个或多个段，其中每段被配置或设定尺寸以增加相比于未经如此配置或尺寸设定的气体输送导管的段的气体经过所述导管的流动时间；和

加热工具，所述加热工具被设置从而在气体穿过所述气体输送导管的一个或多个段传输时将所述气体输送导管的一个或多个段加热。

2.根据权利要求1所述的气体注射器，其中所述气体输送导管包括石英。

3.根据权利要求1所述的气体注射器，其中所述加热工具进一步包括将CVD反应室加热，且其中所述气体输送导管被设置以接收来自所述CVD反应室的热量。

4.根据权利要求1所述的气体注射器，其中所述加热工具进一步包括一个或多个产热元件，且其中所述气体输送导管被设置以接收来自所述产热元件的热量。

5.根据权利要求1所述的气体注射器，其中至少一个选定的段被配置为具有较长的气体流动通道并且在基本相似的气体流动速度下具有增加的气体流动时间。

6.根据权利要求5所述的气体注射器，其中所述气体输送导管包括在其中流动的气体，所述气体包括用于在所述CVD反应室中生长III族-氮化物半导体的III族-金属前体。

7.根据权利要求5所述的气体注射器，其中所述气体输送导管的所述选定的段包括螺旋状形状。

8.根据权利要求7所述的气体注射器，其进一步包括外壳，该外壳封装所述螺旋形的段的部分或全部，且其中所述加热元件进一步包括一个或多个夹套加热器，所述一个或多个夹套加热器设置在所述外壳的外部并且邻近所述外壳。

9.根据权利要求7所述的气体注射器，其中所述加热工具进一步包括黑体元件，该黑体元件位于所述外壳内，但位于所述螺旋形的段外部，用于增强从所述外部加热器到所述气体输送导管的传热。

10.根据权利要求7所述的气体注射器，其中所述外壳进一步包括气体入口和气体出口，并且将所述外壳进一步配置并设定尺寸，以使得气体可从所述入口经过所述内壳流动到所述出口。

11.根据权利要求1所述的气体注射器，其中至少一个选定的段被配置为具有气体流动通道，所述气体流动通道具有较大的截面尺寸，并且在较低的气体流动速度下具有增加的气体流动时间。

12.根据权利要求11所述的气体注射器，其中所述气体输送导管包括在其中流动的气体，所述气体包括用于在所述CVD反应室中生长III族-氮化物半导体的氮前体。

13.根据权利要求11所述的气体注射器，其中较大的段具有基本恒定的、较大的截面尺寸。

14.根据权利要求11所述的气体注射器，其中所述加热工具进一步包括被加热的CVD反应室，并且其中将所述较大的段配置并设定尺寸从而能沿着所述反应室的纵向内壁而被设置在所述CVD反应室内部，所述较大的段具有多个出口，所述出口被设置以引导从所述反应室的侧壁流向中心的气流。

15.根据权利要求11所述的气体注射器，其中所述较大的段的所述截面尺寸从顶部到底部逐渐变大，其中所述段通向CVD反应室。

16.根据权利要求15所述的气体注射器，其中在所述气体输送导管中流动的气体包括用于在所述CVD反应室中生长III族-氮化物半导体的III族-金属前体。

17.根据权利要求15所述的气体注射器，其中所述较大的段包括在平面结构内的楔形通道，所述楔形通道具有相对较窄的顶部和相对较宽的底部，所述顶部具有气体入口，所述底部具有通向所述CVD反应室的第一出口，并且所述平面结构在垂直方向上较短，而在横向方向上较大。

18.根据权利要求17所述的气体注射器，其进一步包括至少一个并不与所述楔形通道相交的第二导气通道，该第二导气通道具有第二气体入口，具有基本恒定的截面尺寸，并且具有一个或多个在所述楔形通道出口的侧面的通向CVD反应室的第二出口。