[发明专利]外延碳化硅单晶基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201080005900.5 | 申请日： | 2010-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN102301043A | 公开（公告）日： | 2011-12-28 |
| 发明（设计）人： | 蓝乡崇;柘植弘志;星野泰三;藤本辰雄;胜野正和;中林正史;矢代弘克 | 申请（专利权）人： | 新日本制铁株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C16/42;C30B25/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 碳化硅 单晶基板 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种外延碳化硅单晶基板，是在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上形成了碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板，其特征在于，所述碳化硅单晶薄膜表面的表面粗糙度即Ra值为0.5nm以下。
2.一种外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于，在偏离角度为6°以下的碳化硅单晶基板上，采用热化学蒸镀法使碳化硅单晶薄膜外延生长时，在流通含有碳和硅的材料气体的同时，流通氯化氢气体，氯化氢气体中的氯原子数相对于材料气体中的硅原子数之比即Cl/Si比大于1.0且小于20.0。
3.根据权利要求2所述的外延碳化硅单晶基板的制造方法，其特征在于，外延生长所述碳化硅单晶薄膜时的材料气体中所含有的碳和硅的原子数比即C/Si比为1.5以下。
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