[发明专利]可变电阻陶瓷和含该可变电阻陶瓷的多层构件以及该可变电阻陶瓷的制备方法

权利要求书

1.可变电阻陶瓷，其包含下列材料：

- Zn作为主组分，

- 含量达0.1－3原子%的Pr，

- 选自Y、Ho、Er、Yb、Lu的金属M，其含量达0.1－5原子%。

2.权利要求1的可变电阻陶瓷，其中M是Y或Lu。

3.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.1－10原子%的Co。

4.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.001－5原子%的Ca。

5.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.001－0.5原子%的Si。

6.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.001－0.1原子%的Al。

7.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.001－5原子%的Cr。

8.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其还包含含量达0.001－5原子%的B。

9.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其包含

- Zn作为主组分，

含量达0.1－3原子%的Pr，

含量达0.1－5原子%的M，

含量达0.1－10原子%的Co，

含量达0.001－5原子%的Ca，

含量达0.001－0.5原子%的Si，

含量达0.001－0.1原子%的Al，

含量达0.001－5原子%的Cr，

含量达0.001－5原子%的B。

10.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其相对介电常数ε_r小于2000。

11.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其中通过加入M降低该可变电阻材料的相对介电常数。

12.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其烧结温度为1000－1300℃。

13.前述权利要求之一的可变电阻陶瓷，其不含碱金属。

14.包含权利要求1－13之一的可变电阻陶瓷的多层构件，其具有用于ESD保护的构型。

15.用于制备权利要求1－13之一的可变电阻陶瓷的方法，其包括下列方法步骤：

a) 粗陶瓷材料的煅烧， 

b) 浆料制备，

c) 制成坯膜，

d) 坯膜脱粘合剂，

e) 来自d）的坯膜的烧结。