[发明专利]光电转换装置和光电转换装置的制造方法有效
申请号: | 201080006217.3 | 申请日: | 2010-01-26 |
公开(公告)号: | CN102301473A | 公开(公告)日: | 2011-12-28 |
发明(设计)人: | 渡边高典 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 制造 方法 | ||
1.一种光电转换装置,包括:
被设置在半导体基板中的多个光电转换单元;和
被设置在所述半导体基板中以将所述多个光电转换单元相互隔离的隔离部,
其中,各光电转换单元包含:
第二半导体区域,包含导电类型与第一导电类型相反的第二导电类型杂质;
第三半导体区域,被设置在第二半导体区域之下,包含浓度比第二半导体区域低的第二导电类型杂质;以及
第四半导体区域,被设置在第三半导体区域之下,包含第一导电类型杂质,并且,
各隔离部包含:
第五半导体区域,被设置在比所述半导体基板的表面更深的位置并且至少在第二半导体区域的侧方延伸,包含第一导电类型杂质;以及
第六半导体区域,被设置在第五半导体区域之下并且至少在第三半导体区域的侧方延伸,包含第一导电类型杂质,并且,
包含于第五半导体区域中的杂质的扩散系数比包含于第六半导体区域中的杂质的扩散系数低。
2.根据权利要求1的光电转换装置,
其中,包含于第五半导体区域中的杂质的质量比包含于第六半导体区域中的杂质的质量大。
3.根据权利要求1的光电转换装置,
其中,各隔离部包含设置在第五半导体区域上并且由绝缘体形成的元件隔离部。
4.根据权利要求1的光电转换装置,
其中,第一导电类型为N型,
包含于第五半导体区域中的杂质的主要成分是砷,并且,
包含于第六半导体区域中的杂质的主要成分是磷。
5.根据权利要求1的光电转换装置,
其中,所述装置被设置成使得成像光从半导体基板的背面侧进入。
6.一种成像系统,包括:
根据权利要求1的光电转换装置;
在所述光电转换装置的成像区域上形成图像的光学系统;以及
通过处理从所述光电转换装置输出的信号产生图像数据的信号处理单元。
7.一种包括半导体基板的光电转换装置的制造方法,该方法包括:
第一步骤,用于在半导体基板中的要使多个光电转换单元相互隔离的区域中形成元件隔离部;
第二步骤,用于通过使用形成为使得露出元件隔离部的第一抗蚀剂图案作为掩模在半导体基板中注入第一导电类型的第一杂质,在半导体基板中的元件隔离部之下形成第一半导体区域;
第三步骤,用于通过使用第一抗蚀剂图案作为掩模在半导体基板中注入第一导电类型的第二杂质,在半导体基板中的第一半导体区域之下形成第二半导体区域;以及
第四步骤,用于通过使用形成为使得露出多个元件隔离部之间的区域的第二抗蚀剂图案作为掩模在半导体基板中注入导电类型与第一导电类型相反的第二导电类型杂质,在半导体基板中的多个元件隔离部之间形成光电转换单元中的电荷存储区域,
其中,第一杂质的扩散系数比第二杂质的扩散系数低。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的