[发明专利]光电转换装置、其制造方法和照相机

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

n型表面区域；

在表面区域下面形成的p型区域；和

在p型区域下面形成的n型埋入层，

其中，表面区域、p型区域和埋入层形成埋入光电二极管，并且，表面区域的主要杂质的扩散系数比埋入层的主要杂质的扩散系数小。

2.根据权利要求1的装置，其中，表面区域的主要杂质是砷，并且，埋入层的主要杂质是磷。

3.根据权利要求1或2的装置，其中，p型区域包含第一区域和第二区域，第二区域的至少一部分被配置在第一区域和埋入层之间，并且，第一区域的p型杂质的浓度比第二区域的p型杂质的浓度高。

4.根据权利要求3的装置，还包括：

形成浮动扩散区的p型第三区域；和

被配置在第一区域和第三区域之间的区域上的栅极，

其中，第一区域、第三区域和栅极形成用于将存储于p型区域中的空穴传送到浮动扩散区的传送晶体管。

5.根据权利要求4的装置，还包括隔离第二区域和第三区域的n型区域，

其中，传送晶体管的沟道在n型区域中形成。

6.根据权利要求1～5中的任一项的装置，其中，通过利用隧穿现象的离子注入形成埋入层。

7.根据权利要求1～6中的任一项的装置，其中，光电转换装置形成为后侧照明型光电转换装置。

8.一种照相机，包括：

根据权利要求1～7中的任一项的光电转换装置；和

处理由光电转换装置获得的信号的信号处理器。

9.根据权利要求1～5中的任一项的光电转换装置的制造方法，包括以下的步骤：

在p型半导体基板的表面上形成埋入层；

在埋入层上外延生长p型半导体层；和

在半导体层中形成p型区域和所述表面区域。