[发明专利]两个太阳能电池的背接触和互连

权利要求书

1.一种制造硅太阳能电池(100)上的背接触和硅太阳能电池 (100)之间的互连的方法，其中已经完全处理了所述太阳能电池(100) 的前表面且其背表面已经处理到所述太阳能电池(100)能在所述背表 面上接触的位置，其特征在于：

a)将所述太阳能电池(100)附接至透明覆板(104)上，由此 形成结构(120)

b)在所述结构(120)的背表面上沉积钝化层(113)

c)在所述结构(120)的背表面上沉积硅材料层(108)

d)由第一区域(C)分隔所述硅材料层(108)

e)在区域(B)中提供接触部位

f)在所述结构(120)的背表面上沉积金属层(109)

g)加热所述结构(120)以形成硅化物(110)

h)在所述硅化物(110)上沉积金属(112)。

2.根据权利要求1所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层(108) 的步骤d)包括：将所述区域(C)开口到以致去除所述区域(C)中的 暴露的硅表面的程度。

3.根据权利要求1所述的方法，特征在于通过在所述区域(C)上 沉积构图的反射材料(116)来执行分隔所述硅材料层(108)的步骤d)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于能够同时进行 步骤b)和步骤c)。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤a)在步 骤b)之后执行。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤c)和步 骤d)同时执行。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，特征在于步骤e)在步 骤c)之前执行。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的方法，特征在于所述钝化层 (113)是非晶硅层(106)和沉积在所述非晶硅层(106)上的非晶氮 化硅层(107)。

9.根据权利要求8所述的方法，特征在于通过至少去除所述氮化 硅层(107)而执行步骤e)。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的方法，特征在于通过化学镀、 电镀、借助掩模的蒸镀或借助掩模的溅镀来执行步骤f)中的所述金属 层(109)的沉积。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，特征在于通过电镀铜 来执行步骤h)中的沉积所述金属(110)。

12.包括背接触和互连的器件，特征在于通过如权利要求1-11中任 一项所述的方法来提供所述背接触和互连。

13.一种制造硅太阳能电池(100)上的背接触和硅太阳能电池 (100)之间的互连的方法，其中已经完全处理了所述太阳能电池(100) 的前表面且其背表面已经处理到所述太阳能电池(100)能在所述背表 面上接触的位置，其特征在于：

a)将所述太阳能电池(100)附接至透明覆板(104)上，由此形 成结构(120)

b)在所述结构(120)的背表面上沉积钝化层(113)

c)在所述结构(120)的背表面上沉积硅材料层(108)

d)由第一区域(C)分隔所述硅材料层(108)

e)在区域(B)中提供接触部位

f)在所述结构(120)的背表面上沉积金属层(109)

g)加热所述结构(120)以形成硅化物(110)

h)在区域(C)中将所述金属层(109)开口

i)在所述硅化物(110)上沉积金属(112)。

14.根据权利要求13所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层 (108)的步骤d)包括：将所述区域(C)开口到以致所述区域(C) 中没有硅材料留存的程度。

15.根据权利要求13所述的方法，特征在于分隔所述硅材料层 (108)的步骤d)包括：在所述区域(C)上沉积构图的反射材料(116)。