[发明专利]用于蚀刻的方法和设备

权利要求书

1.一种用于在等离子蚀刻反应器中蚀刻衬底的方法，包括以下步骤：

使背侧处理气体在衬底与设置在等离子处理腔室中的衬底支撑组件之间流动；以及

在所述等离子处理腔室中循环地蚀刻所述衬底上的硅层，其中所述背侧处理气体是含氧气体，所述含氧气体在所述腔室中通过与材料反应而影响蚀刻循环过程中的蚀刻或聚合速率。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：使He与所述背侧处理气体一起在所述衬底与所述衬底支撑组件之间流动。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述含氧气体是O₂。

4.根据权利要求3所述的方法，其中在所述衬底与所述衬底支撑组件之间流动的He与O₂以体积或质量计的比例为约50∶50至约70∶30。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述循环地蚀刻所述硅层的步骤包括以下步骤：

至少一个蚀刻子步骤，其使用由含氟气体所形成的等离子；以及

至少一个沉积子步骤，其使用含碳气体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氟气体包括下列至少一者：SF₆、NF₃、CF₄、CHF₃、ClF₃、BrF₃、IF₃、或其衍生物。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述含碳气体是C₄F₈。

8.根据权利要求5项所述的方法，其中所述蚀刻子步骤包括以下步骤：

将含氧气体与所述含氟气体导入，以较佳地从正被蚀刻的特征结构的底部、水平表面蚀刻聚合物，从而暴露硅材料以供所述蚀刻子步骤的第二部分的后续蚀刻。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

响应于所述硅层中的正被蚀刻的特征结构的当前深宽比，来调整在所述蚀刻循环过程中的配置变量。

10.一种用于等离子蚀刻反应器的挡流板，所述挡流板包括：

细长形的陶瓷主体，其具有前侧和背侧，所述挡流板的所述前侧为凹形，多个孔从所述前侧延伸至所述背侧，且所述孔被配置以防止等离子通过所述主体。

11.根据权利要求10所述的挡流板，其中所述背侧是平坦的。

12.根据权利要求10所述的挡流板，其中所述背侧具有的曲面与所述前侧的曲面同心。

13.根据权利要求10所述的挡流板，其中所述多个孔包括三列孔，且每列有五个孔。

14.一种等离子蚀刻反应器，包括：

腔室主体，具有抽吸管道，根据权利要求10所述的挡流板被设置在所述抽吸管道中，并具有多个孔，所述孔被配置以允许气体通过所述挡流板并流向所述抽吸管道下游，且同时避免等离子通过所述挡流板；

衬底支撑组件，其设置在所述腔室主体的处理容积中；以及

顶壁，其设置在所述腔室主体上，并覆盖所述处理容积。

15.根据权利要求14所述的等离子蚀刻反应器，其中所述前侧以原点位于所述衬底支撑组件的中心线上的半径弯曲。