[发明专利]等离子体涂覆设备和基材表面的涂覆或处理方法

权利要求书

1.一种用于涂覆或处理基材(3)的表面的等离子体涂覆设备，具有可被抽真空的且可在其中安放该基材(3)的加工室(2)，且具有用于通过加热过程气体来产生等离子体束(5)的等离子体燃烧器(4)，其中该等离子体燃烧器(4)具有喷嘴(41)，等离子体束(5)通过该喷嘴从该等离子体燃烧器(4)射出，并且可沿纵轴线(A)在该加工室(2)内延伸，其特征在于，在该喷嘴(41)的下游在该加工室(2)内设有机械的限界装置(12)，该限界装置沿纵轴线(A)延伸，并且保护等离子体束(5)以免受不希望有的侧向颗粒侵入。

2.根据权利要求1所述的等离子体涂覆设备，其中，该限界装置(12)紧邻地设置在等离子体燃烧器(4)的喷嘴(41)的下游。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体涂覆设备，其中，该限界装置(12)被设计成管尤其是金属管。

4.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体涂覆设备，其中，该限界装置(12)被设计成圆柱管，圆柱管的直径(E)最多是喷嘴(41)出口处直径的10倍，尤其是最多为5倍。

5.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体涂覆设备，其中，还设有喷射装置(11)，以便将反应性流体喷入该等离子体束(5)中。

6.根据权利要求5所述的等离子体涂覆设备，其中，该喷射装置(11)包括设置在限界装置(12)内的环形喷嘴(111)。

7.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体涂覆设备，包括用于保持基材(3)的基材支座(8)，其中该限界装置(12)延伸经过喷嘴(41)和基材支座(8)之间距离的至少80％、优选至少90％。

8.一种借助等离子体涂覆设备涂覆或处理基材表面的方法，其中该基材(3)安放在加工室(2)内，该加工室(2)被抽真空到低于1巴的压力，借助等离子体燃烧器(4)，通过过程气体的加热产生等离子体束(5)，该等离子体束通过喷嘴(41)从该等离子体燃烧器(4)喷出，并且可沿纵轴线(A)在该加工室(2)内延伸，其特征在于，该等离子体束(5)通过沿纵轴线(A)延伸的机械的限界装置(12)被保护以免受不希望有的颗粒侧向侵入。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，借助喷射装置(11)，将反应性流体喷入该等离子体束中。

10.根据权利要求8或9中任一项所述的方法，其中，通过该限界装置(12)，该等离子体束(5)在其在喷嘴(41)和基材(3)之间的长度的至少80％、优选至少90％的范围内受到保护。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的方法，其中，在涂覆时的加工室(2)内的过程压力最多为100毫巴，优选最多为50毫巴，特别是最多为30毫巴。