[发明专利]用于厚壁管的配件及其制造方法

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶体硅太阳电池，具体涉及一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池。

背景技术

目前，晶体硅太阳电池在丝网印刷烧结工序阶段完成背面电极浆料、背面铝浆料、正面电极浆料的印刷烘干，通过烧结形成正面电极和正面N型层的欧姆接触，形成背面场和背面铝导电层。背面铝导电层的厚度在20um左右。背面场是铝原子在短时高温过程中扩散到硅中形成的P+层。背面电极直接覆盖在太阳电池P型基底背面，边缘与铝导电层搭接。在背面电极覆盖的区域，无法形成背面场，缺少了背面场的场钝化效果，同时背面电极的主要成分是银，会增加该区域的复合。考虑到印刷偏移误差，印刷的背面铝浆边缘与太阳电池边缘通常会留出1.5mm左右的距离。由于背面铝导电层的热膨胀系数和硅基底有差异，经过高温烧结后会发生太阳电池片翘曲的问题，印刷烧结的铝导电层越厚，翘曲程度越大。在SEM下观察，印刷烧结的铝导电层具有球形网络结构的特征，导致其与硅基底的接触面十分粗糙，长波段的光在这一接触面往硅基底内部的反射系数较小。为降低硅片的制造成本，硅片的厚度有逐渐减小的趋势，2008年的光伏行业硅片厚度为230um，现在已经降低到190um，预期硅片厚度还会进一步降低。较低的太阳电池厚度要求更小的翘曲度。同时背面的钝化效果以及背面向P型基底内的反射对转换效率的影响也就越来越大。背面钝化效果越好，背面向P型基底的反射率越大，转换效率越高。

中国专利CN201210399467.9提出了一种全铝背场的晶体硅太阳电池，该专利将背面电极覆盖在全铝导电层上，解决了背面电极区域的钝化问题。由于该全铝导电层仍是通过印刷铝浆烧结完成的，不改变铝导电层的球形网状结构，这样就不能提高背面向P型基底的反射率。也不能减小太阳电池的翘曲程度。该全铝导电层与太阳电池边缘仍需留出1.5mm左右的空间。另外，印刷铝浆烘干后再印刷背面电极浆料，两种浆料重叠的厚度较厚。在烧结的烧出阶段，浆料内部的有机物不能完全烧出，经过烧结的高温阶段，背面电极会发黑，甚至出现鼓包的情况，同时背面电极和铝导电层的附着力也较差。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，大大增加了具有场钝化效果的背面场的面积，能够将晶体硅太阳电池的转换效率提高0.1个百分点以上。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，包括正面电极、SiN减反射膜、N型扩散层、P型基底、背面场、铝导电膜和背面电极，其特征在于：所述P型基底表面为平面，所述P型基底表面通过PVD沉积一层铝导电膜，所述铝导电膜全覆盖于P型基底表面，所述铝导电膜厚度为100nm～2um，所述铝导电膜和背面电极组成全背面铝导电反射器。

作为一种优选，所述背面电极包括主栅线和细栅线，所述细栅线间距为1.5mm～5mm。

作为一种优选，所述背面电极采用的材料为银铝浆或银浆。

本实用新型高温烧结所形成的背面场具有全背面场的特点。背面电极覆盖在铝导电膜上，形状与正面电极相似，其材料为银铝浆或者银浆。背面电极主栅形状与正面电极主栅相同。

本实用新型的有益效果是: 全背面铝导电反射器大大增加了具有场钝化效果的背面场的面积。P型基底与导电反射器之间的平整表面能够增强长波段光向基底内部的反射。与铝导电膜相匹配的背面电极细栅间距可以保持甚至减小太阳电池的串联电阻。以上三个因素的改善能够将晶体硅太阳电池的转换效率提高0.1个百分点以上。高纯导电铝膜具有较好的致密性，背面电极能够和它形成较好的附着力。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

具体实施方式

实施例1：如附图1所示，一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，包括正面电极1、SiN减反射膜2、N型扩散层3、P型基底4、背面场5、铝导电膜6和背面电极7，所述P型基底4表面为平面，在P型基底4表面通过PVD沉积一层铝导电膜6，该铝导电膜6全覆盖于P型基底4表面，铝导电膜6厚度为280nm，上述铝导电膜6和背面电极7组成全背面铝导电反射器。所述背面电极7采用的材料为银铝浆，背面电极7包括主栅线和细栅线，其中细栅线间距为2.6mm。

实施例2：另一种具有全背面铝导电反射器的晶体硅太阳电池，所述铝导电膜6厚度为1.8um；细栅线间距为5mm。其它与实施例1相同。