[发明专利]适于局部给药的包含咪唑喹啉(胺)及其衍生物的药物组合物有效
| 申请号： | 201080006838.1 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN204011434U | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 刘景全;郭杰 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 适于 局部 包含 咪唑 喹啉 及其 衍生物 药物 组合 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于分离栅电极的栅控PN结，包括栅区、源区、漏区、沟道区和衬底，其特征在于，所述栅区位于所述沟道区的下方，所述栅区包括栅介质和栅电极，所述栅电极由分离的第一栅电极和第二栅电极构成，第一栅电极和第二栅电极位于栅介质下方且位于所述衬底之上，所述源区和所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述源区、所述漏区和所述栅区设置在所述衬底之上。
2.根据权利要求1所述的基于分离栅电极的栅控PN结，其特征在于：所述沟道区采用单层二维半导体晶体制成。
3.根据权利要求1-2任一项所述的基于分离栅电极的栅控PN结，其特征在于：所述栅介质采用对电子绝缘、对离子导电且同时含有正、负两种离子的无机多孔材料制成。
4.根据权利要求1-2任一项所述的基于分离栅电极的栅控PN结，其特征在于：所述的源区、漏区和所述栅电极采用导体材料制成。
5.根据权利要求1-2任一项所述的基于分离栅电极的栅控PN结，其特征在于：所述衬底为绝缘衬底。
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