[发明专利]高频模块有效
申请号: | 201080007077.1 | 申请日: | 2010-02-25 |
公开(公告)号: | CN102308435A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
发明(设计)人: | 内村弘志;平松信树;早田和树 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08;H01L23/12;H01P5/107;H01Q13/10;H01Q23/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 高频 模块 | ||
技术领域
本发明涉及高频模块。
背景技术
有时会在高频电路基板上安装MMIC(Monolithic MicrowaveIntegrated Circuit)等半导体元件。在该安装时,若用键合线(bond wire)等导线来进行连接,则根据导线的线路长度会产生电感分量。该电感分量导致的传输特性的劣化随频率越高而越大。因此,在高频域中,将极力缩短键合线等导线的长度来进行连接作为常识。为此,有如下技术:将半导体元件配置在设于高频电路基板中的腔(cavity)的内部,从而在腔的周围与信号线路连接。该技术例如记载于JP特开2001-148457号公报中。另外,也有用新导入的电容分量来抵消由该电感分量导致的阻抗的不匹配的技术。该技术例如记载于JP特开2007-95838号公报中。但是,在前述的技术中,即使是微小的尺寸变化,产生的电感分量以及导入的电容分量都会发生变化。其结果是,在前述的技术中,要求较高的尺寸精度,若频率变高则会产生取得匹配变得困难、或能取得匹配的频带变窄的问题。
发明内容
本发明鉴于这样的现有技术中的问题点而提出。本发明的目的是提供能简便地用导线来连接高频电路的高频模块。
本发明的高频模块具备:高频电路、导体、第1导线、和至少一条第2导线。所述高频电路具有信号端子以及至少一个基准电位端子。所述信号端子用于高频信号的输入和输出两者中的至少一者。所述至少一个基准电位端子连接于基准电位。所述导体具有槽。所述第1导线连接于所述信号端子。所述第1导线跨过所述槽的上方而延伸。所述至少一条第2导线连接于所述至少一个基准电位端子。所述至少一条第2导线的至少一部分延着所述第1导线进行配置。所述至少一条第2导线设置为不跨过所述槽的上方。所述第1导线和所述至少一条第2导线形成对,来与所述槽电磁耦合。
根据本发明,能够提供一种能用导线简便地耦合高频电路的高频模块。
附图说明
图1是示意性地表示本发明的高频模块的第1实施方式的外观立体图。
图2是示意性地表示图1所示的高频模块的俯视图。
图3是对图2所示的高频模块的主要部分进行放大的俯视图。
图4是示意性地表示本发明的高频模块的第2实施方式的外观立体图。
图5是示意性地表示图3所示的高频模块的侧视图。
图6是示意性地表示本发明的高频模块的第3实施方式的外观立体图。
图7是示意性地表示图6所示的高频模块的俯视图。
图8是示意性地表示本发明的高频模块的第4实施方式的外观立体图。
图9是示意性地表示图8所示的高频模块的侧视图。
图10是对图8所示的第2槽构造体的主要部分进行放大的截面图。
图11是沿着图10所示的XI-XI线的截面图。
图12是表示图8所示的第2槽构造体的概略构成的分解立体图。
图13是示意性地表示本发明的高频模块的第5实施方式的外观立体图。
图14是示意性地表示图13所示的高频模块的侧视图。
图15是对图14所示的第2槽构造体的其它形态的主要部分进行放大的截面图。
图16是沿着图15所示的XVI-XVI线的截面图。
图17是沿着图15所示的XVII-XVII线的截面图。
图18是表示图13所示的第2槽构造体的概略构成的分解立体图。
图19是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图20是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图21是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图22是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图23是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图24是示意性地表示本发明的高频模块的变形例的外观立体图。
图25是示意性地表示图24所示的高频模块的变形例的俯视图。
图26是表示实施例1的高频模块的电气特性的曲线图。
图27是表示实施例2的高频模块的电气特性的曲线图。
图28是表示实施例3的高频模块的电气特性的曲线图。
图29是表示比较例1的高频模块的电气特性的曲线图。
图30是表示比较例2的高频模块的电气特性的曲线图。
符号的说明
10高频模块
20槽构造体
20a槽
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷株式会社,未经京瓷株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201080007077.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。