[发明专利]发光二极管和发光二极管灯

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管和发光二极管灯。

背景技术

以往，作为发出红色、橙色、黄色或黄绿色的可见光的发光二极管(英文简称：LED)，已知具有由磷化铝镓铟(组成式(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP；0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的化合物半导体LED。在这样的LED中，具有由(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP(0≤X≤1、0＜Y≤1)构成的发光层的发光部，形成于一般相对于从发光层射出的发光在光学上不透明、并且在力学上没有多么高的强度的砷化镓(GaAs)等的基板材料上。

因此，为了得到更高辉度的可视LED，还进行了以进一步提高元件的机械强度为目的的研究。即，曾公开了除去GaAs之类的不透明的基板材料后，将能够透过发光并且比以往机械强度更优异的透明的材料形成的支持体层重新接合的、构成所谓的接合型LED的技术(例如参照专利文献1～5)。

另外，为了得到高辉度的可视LED，曾采用了利用元件形状来提高光取出效率的方法。作为其例子，曾公开了根据侧面形状来提高高辉度化的技术(例如，参照专利文献6～7)。

此外，曾公开了利用接合基板界面的高电阻层，提高静电抗性的技术(例如，参照专利文献8)。

现有技术文献

专利文献1：日本专利第3230638号公报

专利文献2：日本特开平6-302857号公报

专利文献3：日本特开2002-246640号公报

专利文献4：日本专利第2588849号公报

专利文献5：日本特开2001-57441号公报

专利文献6：日本特开2007-173551号公报

专利文献7：美国专利第6229160号公报

专利文献8：日本特开2007-19057号公报

发明内容

这样，通过透明基板接合型LED或芯片形状的最佳化等能够提供高辉度LED，但在制造技术上要求提高组装工艺中的生产率和辉度品质的稳定化等。并且，有提高静电抗性等的与组装工序相关联的要求。

然而，在发光二极管的表面和背面形成电极的结构的元件中，曾提出了很多的与组装技术相关联的方案。但是，在光取出面具有2个电极的结构的高辉度元件中，包括电特性在内结构复杂，关于静电耐电压的稳定化和组装技术的研究不充分。

例如，如专利文献6所公开的那样，为了高辉度化，公开了下述技术：利用在基板的侧面中的、在接近于发光层的侧相对于发光层的发光面大致垂直的第1侧面、和在远离发光层的侧相对于发光面倾斜的第2侧面来高辉度化。

然而，由于被形成为：与插件(组件；package)连接的基板的底面的面积小、发光面的面积大，因此在第1或第2电极上线接合线时存在芯片容易颠倒的问题。因此，为了在发光二极管元件与插件之间得到稳定的接合强度，存在芯片接合(片接合；die bond)剂的选定和连接条件的管理等的制约大的问题。

另一方面，专利文献8中记载的发光二极管，通过在发光部与导电性的基板之间设置高电阻层来谋求静电抗性的提高。然而，为了与插件电接触，必须使用银膏等的导电性膏。这些导电性膏，光的吸收大，因此透明基板连接型LED的场合，存在妨碍发光的问题。尤其是过量地使用作为导电性膏的银膏时，会覆盖透明基板的侧面，因此存在辉度显著地降低的问题。相反，导电性膏的使用量过少的场合，接合强度不够，存在LED芯片不稳定的问题。

本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的在于提供一种发光二极管，该发光二极管在光取出面具有2个电极和倾斜侧面，其中，维持了高的光取出效率，并且，在提高组装工序的生产率的同时，在施加反向电压时没有反向电流流过发光层的情况。

即，本发明涉及以下的发明。

(1)一种发光二极管，是包含pn接合型的发光部的化合物半导体层与透明基板接合的发光二极管，其特征在于，具有：设置于发光二极管的主要的光取出面上的第1和第2电极、以及设置于上述透明基板的和与上述化合物半导体层的接合面相反的一侧的第3电极。

(2)根据前项(1)所述的发光二极管，其特征在于，上述第3电极是肖特基电极。

(3)根据前项(1)或(2)所述的发光二极管，其特征在于，上述第3电极具有对于上述光取出面的发光的反射率为90％以上的反射层。