[发明专利]超低曝光后烘烤光致抗蚀剂材料有效

专利信息
申请号: 201080007232.X 申请日: 2010-01-26
公开(公告)号: CN102308258A 公开(公告)日: 2012-01-04
发明(设计)人: M·克霍雅斯特;P·瓦拉纳西;D·L·戈尔德法尔布 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F7/039 分类号: G03F7/039;C08F220/22;C08F220/28
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈文平
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 曝光 烘烤 光致抗蚀剂 材料
【权利要求书】:

1.一种聚合物,包含:

下列结构的第一单体

下列结构的第二单体

下列结构的第三单体

其中,X1为酯基、酯链或萘基,R1为缩醛基,R2包括氟代烷基,R3为烷基、环基、杂环基、双环基或杂双环基;且其中,x+y+z等于约100摩尔%。

2.如权利要求1所述的聚合物,其中X1、R1及R3不含氟原子。

3.如权利要求1所述的聚合物,其中X1选自-CH2CH2CO-、-CH2CH2COOCH2CH2CO-和

4.如权利要求1所述的聚合物,其中R1选自

且其中R4及R5独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基以及饱和环醚类。

5.如权利要求1所述的聚合物,其中R2选自直链烷基氟代醇类、支链烷基氟代醇类、具有侧链烷基氟代醇基的环烷类和具有侧链烷基氟代醇基的双环烷类。

6.如权利要求1所述的聚合物,其中R3选自直链和支链烷基、双环烷基和杂双环烷基。

7.如权利要求1所述的聚合物,其中所述第一单体选自

且其中,R4和R5独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基以及饱和环醚类。

8.如权利要求1所述的聚合物,其中所述第二单体选自

9.如权利要求1所述的聚合物,其中所述第三单体选自

10.一种光致抗蚀剂制剂,包含:

浇铸溶剂;

光酸产生剂;以及

聚合物,其包含:

下列结构的第一单体

下列结构的第二单体

下列结构的第三单体

且其中,X1为酯基、酯链或萘基,R1为缩醛基,R2包括氟代烷基,R3为烷基、环基、杂环基、双环基或杂双环基;且其中,x+y+z等于约100摩尔%。

11.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂,其中X1、R1和R3不含氟原子。

12.如权利要求10所述的光致抗蚀剂制剂,其中

R1选自

且其中X1选自-CH2CH2CO-、-CH2CH2COOCH2CH2CO-和

其中R2选自直链烷基氟代醇类、支链烷基氟代醇类、具有侧链烷基氟代醇基的环烷类和具有侧链烷基氟代醇基的双环烷类;

其中R3选自直链及支链烷基、双环烷基和杂双环烷基;及

其中R4及R5独立地选自氢、甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基以及饱和环醚类。

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