[发明专利]铜研磨用研磨剂和使用了其的研磨方法

权利要求书

1.一种铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，所述(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，所述(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，所述(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，所述(A)成分的含量相对于所述(C)成分的含量的比率为2.00以上。

2.如权利要求1所述的铜研磨用研磨剂，其中，以每1千克铜研磨用研磨剂计，使pH增加到4所需的氢氧化钾的量为0.10摩尔以上。

3.一种铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂、(F)水和(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种，所述(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，所述(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，所述(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上。

4.一种铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂、(F)水和(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种，所述(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，所述(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，所述(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，所述(A)成分的含量相对于所述(C)成分的含量的比率为2.00以上。

5.如权利要求3或4所述的铜研磨用研磨剂，其中使从铜研磨用研磨剂中将所述(G)成分除去后的组合物的pH增加到4所需的氢氧化钾的量，以每1千克所述组合物计，为0.10摩尔以上。

6.如权利要求3～5中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(G)成分的含量为0.02摩尔/千克以上。

7.如权利要求3～6中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(G)成分为选自具有2个羧基且pKa为2.7以下的有机酸及其酸酐以及具有3个以上的羧基的有机酸中的至少一种。

8.如权利要求3～7中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(G)成分为选自草酸、马来酸、马来酸酐、丙二酸和柠檬酸中的至少一种。

9.如权利要求1～8中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中pH为1.5～4.0。

10.如权利要求1～9中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(A)成分为选自硫酸和磷酸中的至少一种。

11.如权利要求1～10中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中作为所述(B)成分，含有pKa为2～3的氨基酸。

12.如权利要求1～11中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(C)成分为三唑化合物。

13.如权利要求12所述的铜研磨用研磨剂，其中所述三唑化合物为选自苯并三唑及其衍生物中的至少一种。

14.如权利要求1～13中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(D)成分为选自胶体二氧化硅和胶体氧化铝中的至少一种，该(D)成分的平均粒径为100nm以下。

15.如权利要求1～14中任一项所述的铜研磨用研磨剂，其中所述(E)成分为选自过氧化氢、过硫酸和过硫酸盐中的至少一种。

16.一种研磨方法，其使用权利要求1～15中任一项所述的铜研磨用研磨剂对含有铜的金属膜进行研磨，将所述金属膜的至少一部分除去。

17.如权利要求16所述的研磨方法，其中所述金属膜的最大厚度为5μm以上。

18.如权利要求16所述的研磨方法，其中所述金属膜的最大厚度为10μm以上。

19.如权利要求16～18中任一项所述的研磨方法，其中对于所述金属膜的研磨速度为30000埃/分钟以上。