[发明专利]高电阻硅的硅技术中的滤波网络

权利要求书

1.一种HR-Si硅技术中的滤波网络，其通过至少一个截止频率(fc)限定，并且包括：

输入端子(P1)，其用于接收要被滤波的信号；以及输出端子(P2)，其用于提供滤波信号，

第一接地线(M1)，其通过其端部连接至第一和第二接地点(Gr1)、(Gr2)；第二接地线(M2)，其经由其端部连接至第三和第四接地点(Gr3)、(Gr4)；多个L/C谐振元件(Lr1/Cr1、Lr2/Cr2、Lr3/Cr3)，其以并联方式连接，并且经由一端部链接到两条接地线(L1，L2)之一，经由另一端部借助于耦接电感(Ls1，Ls2，Ls3)链接在它们之间，由此创建传输零点，其特征在于

每条接地线(M1，M2)形成电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)，网络包括与至少一些所述电感元件(Lm1，Lm2，Lm3)相串联的电容元件(Cm1，Cr’1)，选择电容元件的值使得串联的电感和电容元件的谐振频率与处于带宽以外的频率对应。

2.如权利要求1所述的滤波网络，其特征在于，电容元件(Cm1)是与接地点(Gr1、Gr2)相连接的电容。

3.如权利要求1所述的滤波网络，其特征在于，电容元件(Cr’1)与谐振元件的电容集成，用于修改所述值。