[发明专利]叠层体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备

权利要求书

1.叠层体，其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层、和导电体层的叠层体，其特征在于，从上述阻气层的表面向深度方向，该阻气层中的氧原子的存在比例逐渐减少，碳原子的存在比例逐渐增加。

2.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，相对于上述阻气层的表层部中的氧原子、碳原子和硅原子的存在总量，氧原子的存在比例为10～70%，碳原子的存在比例为10～70%，硅原子的存在比例为5～35%。

3.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层在该阻气层的表层部的X射线光电子能谱(XPS)测定中，硅原子的2p电子轨道结合能的峰位置为102～104eV。

4.权利要求1所述的叠层体，其中，进一步具有无机化合物层。

5.权利要求1所述的叠层体，其特征在于，上述阻气层是在含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子而得到的层。

6.权利要求5所述的叠层体，其特征在于，上述离子是将选自氮、氧、氩、氦中的至少一种气体离子化而得的。

7.权利要求5所述的叠层体，其特征在于，上述聚有机硅氧烷系化合物是具有用下述所示(a)或(b)表示的重复单元的聚有机硅氧烷，

[化1]

[化2]

式中，Rx、Ry分别独立地表示氢原子、无取代或具有取代基的烷基、无取代或具有取代基的烯基、无取代或具有取代基的芳基等非水解性基团，并且，式(a)的多个Rx、式(b)的多个Ry可分别相同或不同，其中，上述式(a)的Rx不能2个都为氢原子。

8.叠层体的制造方法，其是具有阻气层和导电体层的叠层体的制造方法，其中，具有在表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的成形物的、上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子来形成上述阻气层的工序（I）。

9.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是将选自氮、氧、氩和氦中的至少一种气体离子化而注入的工序。

10.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是等离子体离子注入。

11.权利要求8所述的叠层体的制造方法，其特征在于，上述工序（I）是一边将表面部具有含有聚有机硅氧烷系化合物的层的长尺状的成形物沿一定方向输送，一边在上述含有聚有机硅氧烷系化合物的层中注入离子的工序。

12.电子设备用构件，其包含权利要求1～7中任一项所述的叠层体。

13.电子设备，其具有权利要求12所述的电子设备用构件。